各位板上的先進們，你們好：
我在這個版上爬文的時候，偶然找到這個網址。
http://www.mosis.com/requests/test-data
我查詢的是TSMC - 0.18micron製程 (CM018)
在連結上面，各別寫著下面幾個縮稱
(小弟的英文很差，直接使用谷哥大神翻譯，不知道有沒有搞錯意思)
EPL 磊晶晶圓
NON_EPL 非外延片
LO 邏輯
MM 混合模式過程
THK-MTL 厚重金屬選項
我依序點了幾筆資料來看，發現每筆資料的K'都不相同。
當然，小弟也知道，這是正常現象。
我想要做一個4bit的乘法器當做練習。
想盡量將問題簡單化，用MOS組成邏輯閘來完成設計。
但這之前，我應該先做出一個最基本的INV的才行。
我希望自己可以學會 - 如何做出一個匹配的INV。
之後的其它的元件也就可以自己舉一反三。
如果我要使得INV操作於飽和區
我想先手算過一遍，使用的公式是
Id = 1/2*UCox*(W/L)*(Vgs-Vt)^2
= k'(W/L)*(Vgs-Vt)^2
在這裡，我使用0.18um製程，Vgs=1.8，Vt≒0.3Vdd=0.6volt
(Vt是我自己估的，不知道這值有沒有更明確的做法?)
= K'(W/L)*(1.8-0.6)^2
算到這裡，我開始需要K'的值了。
在這裡先問，T92Y、T77A、T64H...等
Q.這前面的數字代表什麼意思?
每一份資料的N-CHANNEL跟P-CHANNEL的K'值都不一樣
Q.我應該如何選擇，哪一份資料是適合我使用?或者夠用?
假定我使用T77A_MM_NON_EPI這份資料,L也固定在最小單位180.00nM
K' = 171.6(N) ; -35.2(P) 單位 uA/V^2
Idp = -35.2(W/180)(1.44)
Idn = 171.6(W/180)(1.44)
這個時候，只要我透過調整W，使得|Idp| = Idn，Q.這樣就算是匹配了嗎？
我知道這算是有點基礎的電子學了。
算數的部分我自己加油，但不知道我這樣的做法對不對？
另外，不知道這個網站提供的參數是否可以直接使用？
還是，其實它的K'也是僅供參考？
如果有錯，希望不吝賜教！！
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