[問題] 半導體在高溫工作下

[woi5566 (我愛伍伍陸陸)]

半導体在室溫下，導電性介於導体與絕緣体之間。

最常用的半導体物質為鍺(Ge)與矽(Si)。

溫度每升高6°C時，矽晶体的導電性即增大一倍。

鍺晶体之導電性則為溫度每升高10°C時增大一倍。


我的疑問是 既然在高溫的狀況下 導電性會提升

那有沒有可能在高溫的環境之下 提升到接近導體 或成為導體

進而導致整個IC內部的矽晶片上的電路短路呢？

謝謝

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 220.129.90.92
※ 編輯: woi5566         來自: 220.129.90.92        (06/13 15:53)
推 cpt:那只適用於低溫 溫度高到一定程度之後
→ cpt:晶格散射效應會開始讓導電性降低
所以目前矽晶圓做出來的ic都不適用在高溫環境嗎?

因為ic封裝完成後 有些會做可靠度測試

之後還要IR Reflow都會經過高達百度以上的高溫

那結束這些過程後 這些矽晶圓做出來的IC CHIP還能維持原本的半導體特性

因為既然過了可靠度測試 應該是沒問題 問題就是不行在高溫環境下工作吧!?

我有點不解您說的晶格散射效應在溫度高到一定程度 會使導電性又降低?

就矽本身的特性不是高溫下導電良好　這樣不就有所衝突嗎﹖
※ 編輯: woi5566         來自: 220.129.90.92        (06/13 16:58)
※ woi5566:轉錄至看板 Electronics                                  06/13 17:03
推 cwfy:矽的特性高溫下導電良好=>超高溫就變超導了
→ cwfy:照你的邏輯來說就是這樣?
→ woi5566:恩 我目前的認知是這樣 但我想了解錯在哪
→ woi5566:在麻煩您不吝嗇指教!! 謝謝