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各位先進們好 小弟想請教一下4吋矽晶圓在購買時業務說有分等級 最高是prime ,最陽春的是test 想請問一下這兩種矽晶圓的差別?因為價差一倍 業務也不知道明確的差在哪裡 另外因為小弟買這Wafer是要做FET元件使用 應該是用prime比較好還是test? FET的氧化層厚度一般來說鍍多少奈米會比較好呢 (之前的學長是用270nm 的SiO2)? 查了一些文獻也都大概在 300 nm 不過因為沒有做過所以上來請教 不好意思麻煩大家了.謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 220.135.31.116 ※ 文章網址: http://www.ptt.cc/bbs/comm_and_RF/M.1398251020.A.985.html