想請問一個用photodiode去量測光強度的問題
基本上就是很簡單 把active area對著光 然後就可以從電流表上面量到電流
這是因為電子電洞因為光能而分開 進而形成光電流
在網路上很容易就能找到 波長vs電流/光強度 的關係圖
只要知道打的光是哪種波長 以及量測到的光電流強度
就可以知道這一個光源是多少瓦的
這是在網路上可以找的到的關係圖(Silicon photodiode)
http://ppt.cc/uSW~
在已知670nm=1.9eV, 447nm=2.8eV
的情況下, 可以看出都是大於silicon的能帶寬度1.1eV.
那請問為何不同波長卻可以得到不同的Response呢??
在價帶的電子吸收了超過1.1eV的光能之後
不都是一樣可以會抵達傳導帶嗎?
那為何1.9eV的response會低於2.3的呢??
感謝!
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