推 bxxl: 貼在electronics版比較適合,這裡是通訊版118.160.230.181 12/19 20:11
※ 編輯: henryrax (104.38.87.9), 12/21/2014 12:09:51
期末是口試半導體，邊寫邊解釋
第一題PN junction
請問當施加偏壓PN能帶變如何?這簡單,fermi level會被扯開
P區N區的fermi level被扯開後，會延續到分別N區P區嗎?...我猜不會
那depletion region任一點的ni怎表示? 我用算式表達...但教授不滿意
第二題 minority carrier concentration,並銜接上題
畫出minority carrier concentration分布
為什麼這樣分布? recombintation，用diffution length表達
第三題 BJT
解釋base width modulation?
對output conductance有啥影響?
對IB有啥影響,對IC有啥影響?
如果Base width 除2, beta會怎樣?
第四題 當silicon被uniaxial strain，surface constant energy變怎樣?
畫畫圖結束
第五題 標準MOSFET
VTH? Flat band voltage? Body Effect? Body effect in Vth?
第六題 MOSFET的 Qs(surface charge density) vs Vs(surface potential)
畫出那個圖
increase substrate doint這圖會變怎樣? flat band voltage會變怎樣?
double gate的substrate如果是10nm，這圖又會變怎樣?
以上考題2014/12/18 某學校半導體物理期末考口試題目~
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