Re: [問題] 一個半導體物理的問題

[adddream (哆啦A孟)]

感謝j大的回應

但還是有點不懂@@",

j大說,

因為參雜之後傳導帶的電子會變多,因而與電洞的recombination的數量上升,

而導致傳導帶的電子減少,價帶的電洞數目下降.

從這裡還是無法看出p=e=ni這個式子的成立 @@".

因為參雜之後,p與e應該是無法相等的吧,所以p=e=ni這個式子要如何成立呢?

謝謝



※ 引述《jingwoei (jw)》之銘言：
: ※ 引述《adddream (哆啦A孟)》之銘言：
: : 在本質半導體中
: : 在熱平衡下
: : 會產生相對的電子電洞對 ,因此其p(電洞濃度)及e(傳導電子濃度)會相等
: : 即p=e=ni(本質濃度)
: : 再根據 大量作用定律(mass action law)
: : 在無電流以及定溫之下, 本質半導體中p與e的乘積為一定值
: : 所以 p*e=ni^2.
: : 而我有問題的是, 為什麼p*e=ni^2, 在外質半導體中也適用呢?
: : 我的想法是,因為你參雜了其他元素,假設是在n型半導體中,
: : 那就是e的數量會變的比較多,而p*e=ni^2,是在p與e皆相同的情況下才會成立不是嗎?
: 因為recombination的機制還是在，
: 如果傳導帶的電子數量變多，那麼和電洞recombination的量也變多，
: 所以價帶的電洞數目會下降。
: : 那為什麼可以用p*e=ni^2,來做運算??
: : 疑問好久,請各位大大們幫幫忙囉, 謝謝
: : 另外想請問,熱平衡的定義是什麼? 一直看到熱平衡之詞,但始終不了解他的定義
: : 究竟是什麼 ?

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◆ From: 61.59.10.215
推 longago:charge neutrality, and I don't think p=n after doping
→ adddream:所以如何可以用ni^2去求出doping之後的少數載子
→ jingwoei:我覺得這個在這裡講要花很多篇幅，你可以去翻翻固態電子
→ jingwoei:學或固態物理的書，會講的很清楚。：）
→ jingwoei:推錯地方^^"下一篇才對