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感謝b大的回應, 其實我懂mass action law 不管是參雜或者非參雜都是成立的, 我比較不懂的是, 既然p=e 以及 p*e=ni^2,是只有在本質半導體理才成立, 那為什麼當半導體參雜後,可以使用ni^2 這個值去求出 少數載子的數值 ? 而我由此疑問因為,我認為既然p=e,在參雜之半導體無法成立,當然p*e=ni^2,自然 也無法成立,既然無法成立,又為可用其來解出少數載子. 嗯嗯 再度麻煩各位了 感謝 ※ 引述《bacanhsu (培根)》之銘言: : ※ 引述《adddream (哆啦A孟)》之銘言: : : 在本質半導體中 : : 在熱平衡下 : : 會產生相對的電子電洞對 ,因此其p(電洞濃度)及e(傳導電子濃度)會相等 : : 即p=e=ni(本質濃度) : : 再根據 大量作用定律(mass action law) : : 在無電流以及定溫之下, 本質半導體中p與e的乘積為一定值 : : 所以 p*e=ni^2. : : 而我有問題的是, 為什麼p*e=ni^2, 在外質半導體中也適用呢? : : 我的想法是,因為你參雜了其他元素,假設是在n型半導體中, : : 那就是e的數量會變的比較多,而p*e=ni^2,是在p與e皆相同的情況下才會成立不是嗎? : 你的問題應該有2 : 1.mass action law 並非在 p=e 才成立 : 2.mass action law 怎麼來的 : http://en.wikipedia.org/wiki/Law_of_mass_action : 簡單的來說 他應該是統計學的結果 有錯誤請指正 : : 那為什麼可以用p*e=ni^2,來做運算?? : : 疑問好久,請各位大大們幫幫忙囉, 謝謝 : : 另外想請問,熱平衡的定義是什麼? 一直看到熱平衡之詞,但始終不了解他的定義 : : 究竟是什麼 ? : 熱平衡 簡單的來說 : 熱量會由溫度高的物體傳給溫度低的物體 : 所以熱平衡的情況 就是 所有物體都沒有溫度差 : 但其實我這樣解釋一點用都沒有 XD : 因為我再學電子學的時候 我也有這樣的疑問 : 1.什麼時熱平衡? : 2.電子電洞再非熱平衡的情況下,濃度是如何改變的? : 只是忘了問老師 : 如果你現在有在修課 可以問看看老師 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 61.59.10.215
longago:你看的是哪本書? 11/18 15:48