※ 引述《adddream (哆啦A孟)》之銘言：
: 在本質半導體中
: 在熱平衡下
: 會產生相對的電子電洞對 ,因此其p(電洞濃度)及e(傳導電子濃度)會相等
: 即p=e=ni(本質濃度)
: 再根據 大量作用定律(mass action law)
: 在無電流以及定溫之下, 本質半導體中p與e的乘積為一定值
: 所以 p*e=ni^2.
: 而我有問題的是, 為什麼p*e=ni^2, 在外質半導體中也適用呢?
: 我的想法是,因為你參雜了其他元素,假設是在n型半導體中,
: 那就是e的數量會變的比較多,而p*e=ni^2,是在p與e皆相同的情況下才會成立不是嗎?
因為recombination的機制還是在，
如果傳導帶的電子數量變多，那麼和電洞recombination的量也變多，
所以價帶的電洞數目會下降。
: 那為什麼可以用p*e=ni^2,來做運算??
: 疑問好久,請各位大大們幫幫忙囉, 謝謝
: 另外想請問,熱平衡的定義是什麼? 一直看到熱平衡之詞,但始終不了解他的定義
: 究竟是什麼 ?
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