※ 引述《adddream (哆啦A孟)》之銘言：
: 在本質半導體中
: 在熱平衡下
: 會產生相對的電子電洞對 ,因此其p(電洞濃度)及e(傳導電子濃度)會相等
: 即p=e=ni(本質濃度)
: 再根據 大量作用定律(mass action law)
: 在無電流以及定溫之下, 本質半導體中p與e的乘積為一定值
: 所以 p*e=ni^2.
: 而我有問題的是, 為什麼p*e=ni^2, 在外質半導體中也適用呢?
: 我的想法是,因為你參雜了其他元素,假設是在n型半導體中,
: 那就是e的數量會變的比較多,而p*e=ni^2,是在p與e皆相同的情況下才會成立不是嗎?
你的問題應該有2
1.mass action law 並非在 p=e 才成立
2.mass action law 怎麼來的
http://en.wikipedia.org/wiki/Law_of_mass_action
簡單的來說 他應該是統計學的結果 有錯誤請指正
: 那為什麼可以用p*e=ni^2,來做運算??
: 疑問好久,請各位大大們幫幫忙囉, 謝謝
: 另外想請問,熱平衡的定義是什麼? 一直看到熱平衡之詞,但始終不了解他的定義
: 究竟是什麼 ?
熱平衡 簡單的來說
熱量會由溫度高的物體傳給溫度低的物體
所以熱平衡的情況 就是 所有物體都沒有溫度差
但其實我這樣解釋一點用都沒有 XD
因為我再學電子學的時候 我也有這樣的疑問
1.什麼時熱平衡?
2.電子電洞再非熱平衡的情況下，濃度是如何改變的?
只是忘了問老師
如果你現在有在修課 可以問看看老師
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