在本質半導體中
在熱平衡下
會產生相對的電子電洞對 ,因此其p(電洞濃度)及e(傳導電子濃度)會相等
即p=e=ni(本質濃度)
再根據 大量作用定律(mass action law)
在無電流以及定溫之下, 本質半導體中p與e的乘積為一定值
所以 p*e=ni^2.
而我有問題的是, 為什麼p*e=ni^2, 在外質半導體中也適用呢?
我的想法是,因為你參雜了其他元素,假設是在n型半導體中,
那就是e的數量會變的比較多,而p*e=ni^2,是在p與e皆相同的情況下才會成立不是嗎?
那為什麼可以用p*e=ni^2,來做運算??
疑問好久,請各位大大們幫幫忙囉, 謝謝
另外想請問,熱平衡的定義是什麼? 一直看到熱平衡之詞,但始終不了解他的定義
究竟是什麼 ?
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