請問三星電子生產的Hand型flash是什麼樣的東西?
謝謝!
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標 題: Re: 請教Hand型flash???
發信站: 天樞資訊網 (Sat Jun 4 23:11:44 2005)
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※ 引述《cyw888.bbs@bbs.badcow.com.tw (工程師)》之銘言:
> 請問三星電子生產的Hand型flash是什麼樣的東西?
> 謝謝!
Nand Gate flash ?
我只知道還有相對的 Nor Gate flash
兩者在性質上有何不同? 我也很想知道
有人知道嗎?
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標 題: Re: 請教Hand型flash???
發信站: 交大資科_BBS (Sun Jun 5 00:05:45 2005)
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市場上目前主要有NAND 與 NOR flash.以應用面而言.
NAND flash 在目前製程上可達到大容量,高密度,erase/write 較快的
優點,所以一般用來儲存資料如MP3,隨身碟等.
NOR flash 則由於有random access 與 access time較快的優點, 一般用來當
code flash 儲存一些系統程式碼.
==> 在 gsj.bbs@bbs.nchu.edu.tw (國王的新衣) 的文章中提到:
> ※ 引述《cyw888.bbs@bbs.badcow.com.tw (工程師)》之銘言:
> > 請問三星電子生產的Hand型flash是什麼樣的東西?
> > 謝謝!
> Nand Gate flash ?
> 我只知道還有相對的 Nor Gate flash
> 兩者在性質上有何不同? 我也很想知道
> 有人知道嗎?
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標 題: Re: 請教Hand型flash???
發信站: 雲林科技大學藍天使 BBS (Sun Jun 5 02:47:00 2005)
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※ 引述《gsj.bbs@bbs.nchu.edu.tw (國王的新衣)》之銘言:
> ※ 引述《cyw888.bbs@bbs.badcow.com.tw (工程師)》之銘言:
> > 請問三星電子生產的Hand型flash是什麼樣的東西?
> > 謝謝!
> Nand Gate flash ?
> 我只知道還有相對的 Nor Gate flash
> 兩者在性質上有何不同? 我也很想知道
> 有人知道嗎?
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這是工程師跟我說的 我引述過來!!!
NOR主要的用途是做為code storage,重速度,所以你的主機板的BIOS,VCD/DVD player
,手機....甚至小到8051系列的MCU,都有使用,比較偏低密度的容量從幾K到32Mb,64Mb
(目前已有128Mb以上),目前是朝向更高密度發展(~1Gb),所以INTEL有所謂的
multi-level的strata flash。
NAND主要是作為 data storage,所以容量是關鍵,由於NOR本身的cell與電路架構問題
同樣size的die,NAND的密度就遠高於NOR,但速度略慢,畢竟是作為data storage
所以只要容量大就好,手機,數位相機,隨身碟...或是其他需要大容量儲存的都會使用
目前三星已有推出8Gb的NAND flash。
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標 題: Re: 請教Hand型flash???
發信站: 綠憶情懷 (Sun Jun 5 17:48:33 2005)
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※ 引述《gsj.bbs@bbs.nchu.edu.tw (國王的新衣)》之銘言:
> ※ 引述《cyw888.bbs@bbs.badcow.com.tw (工程師)》之銘言:
> > 請問三星電子生產的Hand型flash是什麼樣的東西?
> > 謝謝!
> Nand Gate flash ?
> 我只知道還有相對的 Nor Gate flash
> 兩者在性質上有何不同? 我也很想知道
> 有人知道嗎?
感覺上 ... HAND-Flash ... 雖然沒聽過 ...
但應該不是指NAND Flash才對 ~.~?
我是不用功的學生 ... 所以聽聽就算了 ... smirk ...
anyway ...
NAND Flash與NOR Flash最大的差異在於結構上的不同 ,
並且電子寫入與erase的方法也不太相同 ,
首先提到NOR Flash,
主要是Intel等為主的供應商支持 ... 沒記錯的話 ...
在結構上 , 所有的Floating Cell都會連接到Bit Line上 ,
因此會形成與NOR Gate相似的結構 ,
NAND Flash與NOR Flash相反 ,
主要由Samsung與Toshiba等供應商支持 ... 也是沒記錯的話 ... smirk ...
在結構上 , 所有的Floating Cell都以NAND結構串接 ,
所以只有在最頂層的Floating Cell會與Bit Line相接 ,
面積上 ,
由於NAND Cell只有一個電晶體需要與Bit Line相接 ,
所以只需要少量的Contact ,
反觀NOR Cell , 因為每個電晶體都需要與Bit Line相接 ,
所以需要大量的Contact , 這造成NOR Cell需要較大的面積 ,
也使的NOR Cell在scaled down當中 , 面積縮小率較差 ,
應用上 ,
由於NOR Flash的"Read"能力比較好 (結構與讀取方法的問題) ,
根據Samsung的2003 data sheets來看 ,
為 200ns : 10.1us ,
是相當大的差異 ,
所以常被使用在如手機等較需要"Read"能力的產品上 ,
不過 ,
由於目前的產品應用已經走向多媒體與可執行性的應用 ,
這個趨勢也會逐漸被破壞 ,
這是因為NAND Flash雖然Read的能力較差 ,
但不論在area, power, write, erase這些其他層面上 ,
都會有較佳的表現 ,
其中erase的速度比較是 1.2 sec : 2 ms ,
NAND Flash有非常快的表現 ,
若要求每次在programming前都需要對Flash做erase ,
NOR Flash將會需要非常久的時間 ,
當然 , 依照結構 ,
NOR Flash還有較具彈性的定址優勢 ,
遠比NAND Flash需要額外複雜的元件定址來得有利一些 ,
所以雖然NAND Flash現在的市佔率是直追NOR Flash ,
但眼前NOR Flash還是不會被NAND Flash完全取代 . . .
(不負責回文 , 有錯就只看對的地方吧 ... 拒絕任何筆戰 ... smirk ... )
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標 題: Re: 請教Hand型flash???
發信站: 無名小站 (Sun Jun 5 18:20:33 2005)
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※ 引述《Picoro.bbs@bbs.ydu.edu.tw (累與無聊之間 =.=)》之銘言:
> ※ 引述《gsj.bbs@bbs.nchu.edu.tw (國王的新衣)》之銘言:
> > Nand Gate flash ?
> > 我只知道還有相對的 Nor Gate flash
> > 兩者在性質上有何不同? 我也很想知道
> > 有人知道嗎?
> 感覺上 ... HAND-Flash ... 雖然沒聽過 ...
> 但應該不是指NAND Flash才對 ~.~?
應該就是 沒聽過HAND這種東西 原提問者也提到三星 應該就是問NAND flash
NOR flash因為可以random access所以用在code memory
NAND不行,用於大量storage應用
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夫兵者不祥之器物或惡之故有道者不處君子居則貴左用兵則貴右兵者不祥之器非君子
之器不得已相簿 http://www.wretch.cc/album 有佈景主題 速度很快 可得志於天下
矣吉事尚左凶事尚右偏將軍居左上將軍居右言以喪禮處之殺人之眾以哀悲泣之戰勝以
喪禮處之道常無名樸雖小天下莫能臣侯王若能守之萬物將自賓天地相合以降甘露民莫
之令而自均始制有名名亦既有夫亦將知止知210-58-1-90.cm.dynamic.apol.com.tw海
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標 題: Re: 請教Hand型flash???
發信站: 綠憶情懷 (Sun Jun 5 23:01:28 2005)
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※ 引述《wjyang79.bbs@bbs.wretch.cc》之銘言:
> ※ 引述《Picoro.bbs@bbs.ydu.edu.tw (累與無聊之間 =.=)》之銘言:
> > 感覺上 ... HAND-Flash ... 雖然沒聽過 ...
> > 但應該不是指NAND Flash才對 ~.~?
> 應該就是 沒聽過HAND這種東西 原提問者也提到三星 應該就是問NAND flash
> NOR flash因為可以random access所以用在code memory
> NAND不行,用於大量storage應用
啊呀 ...
這回我真的沒看到三星兩個字 = . =
真抱歉 ,
不過用google找HAND-Flash ...
還真的找得到東西 = . =
雖然是一堆怪東西 = . =
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