==> 在 boy0.bbs@bbs.cs.nthu.edu.tw (漫天回憶舞秋風) 的文章中提到:
> ※ 引述《cawen.bbs@bbs.cis.nctu.edu.tw (cawen)》之銘言：
> > 各位先進：
> > 想請教有關tunneling的問題，有人知道當兩個物體靠近時，隨著兩者之間距離的變化，
> > 電子tunneling過去的機率有多大呢?這和物體的材料有關嗎?如果是金，會是什麼狀況呢?
> > 大概離多遠tunneling的效應就可忽略?
> > 有人可以回答嗎?謝謝
> 看是哪種 tunneling, 像是 direct tunneling 跟 FN tunneling 的條件就不一樣.
> 基本上發生的機率和 temperature, transverse/longitudinal effective mass
> 以及 quantum well/dot barrier 都有關...
我想問的是當兩個奈米金球靠的很近時，當被照光後，表面電子的穿隧機率該怎麼描述呢?
謝謝。
這是不是跟能障有關，如果是的話該怎麼取那個值?
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發信人: boy0.bbs@bbs.cs.nthu.edu.tw (漫天回憶舞秋風), 看板: Electronics
標 題: Re: 來這問不知對不對"有關電子的tunneling"
發信站: 清華資訊(楓橋驛站) (Fri Jun 24 10:23:46 2005)
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※ 引述《cawen.bbs@bbs.cis.nctu.edu.tw (cawen)》之銘言：
> ==> 在 boy0.bbs@bbs.cs.nthu.edu.tw (漫天回憶舞秋風) 的文章中提到:
> > 看是哪種 tunneling, 像是 direct tunneling 跟 FN tunneling 的條件就不一樣.
> > 基本上發生的機率和 temperature, transverse/longitudinal effective mass
> > 以及 quantum well/dot barrier 都有關...
> 我想問的是當兩個奈米金球靠的很近時，當被照光後，表面電子的穿隧機率該怎麼描述呢?
> 謝謝。
> 這是不是跟能障有關，如果是的話該怎麼取那個值?
畢業已經好幾年了, 以前學的幾乎都忘光光了, 以下就僅憑印象做定性描述 :
利用微擾修正過的薛丁格方程式求解 (因多電子系統),
與其共軛函數形成波函數.
兩個金球在軸心方向的之間的波函數必須要 coupling 才有機會產生 tunneling,
這兩個波函數都各自包含了穿透波和反射波的貢獻, 而且穿隧機率會隨著距離 exponent
decay. 波函數1 = a11 exp(ikx) + a12 exp(-ikx)
波函數2 = a21 exp(ikx) + a22 exp(-ikx)
從以上四個 a 構成的矩陣可以解出穿透波和反射波發生穿隧的機率...
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