※ 引述《pow (體脂肪35%)》之銘言：
: ※ 引述《chenchenkuo.bbs@bbs.badcow.com.tw (博班的生活是降喔)》之銘言：
: : 可以自己單獨接一個NMOS or PMOS
: : 實際run看看
: : 從量出來的電流值&你給的偏壓Vgs Vds
: : 應該可以很快的算出近似的k值囉
: : 從foundry library可不可以直接找到?
: : 我印象中是不行
: : 有錯請高手指正囉
: http://www.mosis.com/Technical/Testdata/tsmc-035-prm.html
: Look for the column: K' (Uo*Cox/2)
: Also,
: In the SPICE models:
: U0: Channel mobility (unit:m)
: TOX: gate oxide thickness (unit:cm^2/V/s)
: You can calculate COX=Permittivity_of_OX / TOX
: *be careful of the units conversion
我之前設計OP也有這個問題,我發現W/L比會影響到MOS的模型
這些模型例如有pch.1 ~...~ pch.11
nch.1 ~...~ nch.11
而每個模型的U0都不盡相同
如果想要把U0給定,就是先決定用某個模型,那麼W/L比值需要定在此模型容許範圍裡
PS.難怪做類比電路需要很多經驗,電子學觀念通還是不夠的 囧
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