推 yammy1201:回答的真詳細...感謝您..^^ 12/19 08:13
→ Rigid:哪裡哪裡~ 12/19 09:12
※ 引述《yammy1201 (@^_____^@N)》之銘言：
: 請問一下為什麼離子佈植的深度總是較預期的要深?
: 謝謝!..^^
主要有兩種原因
若是要形成shallow junction的話
往往佈植的能量都相當低
但是因為Si的晶格有某些方向看過去是沒有甚麼阻礙的
看起來就像是有一個channel一般
所以會使佈植的深度比預期的深
也就是所謂的channel effect
改善的方式是利用將Si wafer傾斜7~8度來避開晶格上的通道
或是在佈植前先用Si或Ge將表面打成amorphous狀
使得佈植之原子感受不到通道
而另一個因素則是在anneal時溫度會使離子的位置改變
而佈植時產生的缺陷interstitial silicon or vacancy
會使佈植之物質更快速的移動
使得佈植的深度比預期的深
尤其是你參雜的物質會因為缺陷而快速移動的話
這現象會特別的明顯
最後有一個比較少見的
我也不確定有沒有說得很對
就是當你的物質植入時
濃度的分佈會產生一個位勢差
會產生一個力使得你物質的移動更快
是以佈植的位置會比較深
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.113.195.80