→ daming: 謝謝 感激不盡 12/17 21:59
推 hyde1arc:推 12/19 00:30
※ 引述《daming (daming)》之銘言：
: 因為本身對電子學沒有深度了解
: 我想請問 當製程一個MOSFET 時
: 載子的mobility 和元件的 conductivity 有何關係
: 我在一篇材料相關paper讀特殊的 ZnO 組成其 mobility最大 但 conductivity 卻最小
: 就製程的角度來講 到底是 mobility 越大越好 還是 conductivity 越大越好呢
: paper中也一直提到 on/off ratio 請問是那一種參數的比值呢???
: 文內有一句 .... mobility can be further improved without sacrificing the on/off
: ratio ............ 請問 on/off ratio 和 mobility又有何關係呢
: 希望個位強者能幫忙解答 謝謝
半導體的conductivity正比於該材質電子電洞的mobility與concerntration
一般來說半導體的mobility與晶格的完美有關係
越完美的晶格其scattering越少而mobility越大
但是半導體材料的電子電洞concerntration並不大
需要加入雜質以增加其concerntration
但是加入雜質的話晶格的defect就相對增加了 使得mobility下降
是以半導體的導電度可以藉由參雜的濃度來控制
但過多或過少都會使得半導體的conductivity不夠大
而在on/off current ratio方面
on current大的話可以使得元件的運作速度較快
（因為current大電容充放電速度較快）
而off current較小可以有效降低static state下的power consumption
（尤其是對standard CMOS）
故一般元件都希望可以得到大的on current以及小的off current
但若是藉由增加dopant的量來提高on current
往往會有leakage cuurent (off current)也增加的情況
故利用mobility的提升來提高on current比較能避免off current也變大的情況
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