Re: [問卦] CPU時脈是不是已趨近極限

[Daredevi1 (三井)]

III-V族在電子的mobility雖然高過Si很多,但是電洞的mobility略低於Si
Si上面strain的技術已經很成熟了,III-V這種電洞mobility很難進入商業化的邏輯製程
至少檯面上大家到15nm的road map是根本沒考慮III-V
換句話說二十年內III-V是沒機會進入LSI的...
Si製程的深與廣不是三五族能輕易取代的
上個說要當三五族的台積電的公司叫做博達  他成長了 還是幻滅了?

四倍線寬?你說的是曝光的倍率吧,光罩線寬與實際線寬=4:1是行之有年的業界規格
跟你說的resolution...很沒關係.請問一下 你懂litho嗎?

三星核心工程師??10nm device?Graphene要成功了?
三星跟ibm聯盟買22nm是嫌錢太多?為何不進軍你說的Graphene製程
三星花個幾億在都還不知道是不是下一代規格的 euv是嫌錢太多??
EUV的波長是15nm,是目前曝光機193nm的十多分之一,
193nm immersion根據intel的預測加上triple pattening 極限大概落在12nm tech node
那15nm的波長要落在哪哩呢???

不要看了幾篇paper或是聽了某某的一次演講就高潮了...
實際做個22nm sram array,等你看到良率的時候,再高潮還來得及
加油,好嗎?



: : 噓 nosame:很好，見一次嘘一次                                       01/21 04:37
: 因為一群人活在島國太久了
: 自以為畢業就是應該領幾十萬的上帝
: mobility 就是charge 的移動速度  直接影響到
: device的速度
: 這也就是為什麼GaAs 會取代Si 成為高頻元件(for example: RF
: 的材料  但是這個材料難以處理  又稀少
: 現有的Lithography技術即使線再細
: 因為使用multiplication 的光罩技術
: 所以實際的Pitch size都是四倍線寬 甚至更多
: 從三星出來的核心工程師
: 說三星早在他出來前就已經在研究10nm 製程技術
: Graphene目前最先進的製程
: 可以長在大面積的substrate
: 被列為機密
: 當然不是你在nature上搜尋到那篇用nikel長的  還充滿著缺陷
: 的學術研究
: Process 相容於目前的IC industry
: 現在表面上只欠缺幾項重要的屬性
: 而Graphene也就是之前紅的半天的奈米碳管的平面結構
: 是的 奈米碳管被拆開來攤平有了更好的結果
: 另外一個相容的單晶  ZnO 有各種良好的屬性
: 他同時是透明材料有高Mobility又是Piezoelectric
: 又能改變P N type 相容 能彎
: 說實在的繼續打下去打幾天都打不完
: 所以你可以不用擔心了
: 因為生產半導體製程儀器的公司都在做了
: 這又是另一個故事
: 不過我想三星正式公佈他的技術時
: 大家還在懷念韓國要因為短期債務亡國的消息吧

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