Re: [新聞] 英特爾10奈米超前 威脅台積

[GGYY5566YYGG (戰鬥力起碼一萬以上)]

※ 引述《frank40901 (就是不想被認出)》之銘言：
: ※ 引述《jw0311 (冷心冽情)》之銘言：
: : 小弟非常好奇的一點是
: : 前陣子台積電好像有宣示要開始研發進入7nm先進製程
: : 那為啥這篇新聞認為行動裝置晶片這塊intel仍然領先呢
: : 還有，intel行動裝置處理器好像採用的廠商比較有名的只有華碩的zenfone
: : 其他廠商就很少人用了
: : intel晶片是跟android調教的不好還是怎樣？
: : 有沒有這方面的八卦？
: 小弟也好奇一點
: 前陣子有人說在物理特性上10nm就是極限了

因為電子物質波的波長大約是0.4nm，

當gate length縮到一定的程度，電子物質波波長很容易跨越整個s/d造成元件關不掉，

漏電流相當大，目前為止元件物理的建構都是用固態物理為基礎，

考慮的都是大量的原子、電子行為，但是當到10nm以下，

固態物理的極限也已經快到一個極限，要換另一個架構來思考，

要考慮的doping原子、defect個數，一個元件都已經是用幾個幾個在算，

粒子的集體行為，跟粒子的單體行為，完全天差地遠。

silicon從以前就已經被喊要GG，但是一只沒有被換掉，

因為現在行動通訊的市場大，大家注重的是元件的功耗，

所以當你的元件可以再用約低電壓操作在on state下越好，

但是目前元件物理的S.S. 就是由Femi-dirac近似boltzmann distribution去做

載子濃度的計算，進一步積分求得ID公式，然後S.S最小就是被限制在60mV/dec，

10nm以下要考慮的並不是材料的問題，而是整個元件結構的問題，

tunnel-fet的S.S可以突破這個限制，可是因為基礎物理規範的原因，

on current上升的幅度並沒有因為微縮而大幅上升，他也許是一個機會，

目前所有的材料像Ge GaAs InGaAs 一狗票三五，漏電流都沒辦法做得像silicon那麼小，

他們沒像silicon有一個天險SiO2那樣，而且quality好的SiO2又很好長，

bti一量就知道這些材料多麼的耐不住。

這幾年才是邏輯IC的生存關鍵，但是大部分大家應該還是會看intel怎麼走，

然後跟著走，畢竟這個押錯寶，看看曾經90年代因為銅製程垮下的U。


: 7nm是材料上有改良嗎還是怎麼一回事
: 另外想再問
: 看那麼多回文 台GG 在1x 製程的良率大概在幾%阿 有掛嗎

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.35.172.176
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推 freemail: GG輪班
推 james732: 所以要看Intel突破之後大家在一起抄囉？XD
推 sellgd: 可以講中文嗎?
→ sofaly: silicon 補裂縫用的 速利康@@??
推 xzcb2008: 跟我想法一樣
→ sellgd: 看id，這會不會是反串文 讓人討厭肥宅用的
推 tenninetall: 感覺在唬爛
推 Frank33: 90年代因為銅製程垮下的U ← 這是？
推 ZXCWS: 到極限 就無法用近似的了 分布都有問題
推 MephistoH: 太專業看不懂 XD
推 sxing6326: 聯電
推 oidkk: 看不懂...
推 acelf: 幹obov出來講清楚啊
推 abcd5566: 換材料就準備GG拉
推 Comebuy: ................
推 magamanzero: 推
推 zebraseven: 推
→ worm6206: 串一堆英文就好像很專業
推 Sarvmill: 同業推，但你可以左轉科技版...
※ 編輯: GGYY5566YYGG (114.35.172.176), 05/20/2015 11:04:23
推 zzzz8931: 樓下obov
噓 ams9: 看不懂 腦羞怒噓
推 wokou: ptt長知識，但U並不是銅製成導入而沒落吧
推 Cervelo1995: obov出來講解一下好嗎
推 PotatoPill: 物理系學士ing看得懂給推
推 FuYen: 半導體物理而已啦 去翻一翻Neamen就會了
推 age0fempire3: ..
→ soga0309: 可以講簡單點嗎QAQ
→ duece0927: 快推 不然人家以為我看不懂
→ ljuber: 快推 不然人甲以為我看不懂
→ ljuber:            家
推 ke1030: 我看的懂X D
推 gn01172011: 看不懂
推 ayenliou: 先推 不然人家以為我看不懂
推 j68345517: 你中文要加強
推 loa123: 快推
推 sbflight: 先推 不然人家以為我看不懂
推 ericsonzhen: 期待換材料再一個新革命 現在都爛梗用不膩
→ CCWck: http://0rz.tw/7AOhO
推 obov: 半導體物理的東西我早就忘光惹QQ
→ CCWck: 專業，就是用對方聽得懂的話，去告訴他不懂的事情
推 BaGaJohn: 跟我想的差不多
推 discoveryray: 恩恩 就是這樣
推 redpupil: 用對方聽得懂的話，告訴不懂的事情，那只是似懂非懂依
→ redpupil: 樣畫葫蘆。
→ redpupil: 這串要真的懂,需要統計熱力學 量子物理跟固態物理做基礎
推 fr373969: 為啥聯電現在這麼慘啊? 2000年時的電子股老二現在變渣
推 mmarty: 我居然看的懂耶~
→ walhalla: 有啥好看不懂的?不都是中文跟英文嗎
推 during: GaN呢？
GaN 這種複合材料最終都是要磊在Si上，要考慮buffer layer的問題，這個問題非常的大

再來是GaN他的Band Gap雖然大，即使S.S做到60mV/dec，

ON起來要跨過的電壓太大，假如你是有2DEG的元件，

要考慮的問題就更多了，一顆邏輯ic上有8次方的電晶體，

最直接的臨界電壓要是正的，就非常麻煩，

還有就是GaN又存在著一個後段金屬問題，為了要降低阻值，

通常金這個金屬會用上，光金這個問題，我想沒有半導體廠會嘗試，

大多的加在drain電壓都被contact吃掉，功耗只會更大，

GaN賣點從來不是應用在邏輯ic上，而是高頻或者是高壓元件。
推 mramos6796: 你會被文組噓
※ 編輯: GGYY5566YYGG (114.35.172.176), 05/20/2015 11:56:31
→ kevin0733: 插一堆英文要幹嘛 講一串好像很專業
推 mos47: 完全看不懂
推 gdyheero: 專業推.....這篇有深度
推 rainstonein: 高頻主要是用SiC吧
只是這幾年GaN在這方面的應用紅了起來，要不通常都拿去做做LED，

但是不能否定這個材料在這個領域的淺力，

而且因為近幾年來大家瘋狂做三五的磊晶，所以連帶GaN的被拉抬，

SiC跟GaN的wafer價格比起來，GaN便宜太多。
※ 編輯: GGYY5566YYGG (114.35.172.176), 05/20/2015 12:03:29
推 amethystboy: 就說Intel 外星科技沒有在怕
推 rainstonein: 便宜但mobility沒到?高頻還是考慮GaAs-based材料為主
推 Domineering: 完全...看不懂，32nm再戰十年
推 crossdream: 這id...莫非是交大金城武!?
推 unadix: 快推 不然人家以為我看不懂
推 yameide: 看不懂
推 aben112008: 推,但大部分人看不懂
推 ienari: 推  八卦版應該很多半導體工程師吧
→ ienari: 有做相關的至少看的懂一些
推 kira925: 其實那堆3-5的Paper總覺得是打嘴砲居多...
→ kira925: 不過關鍵或許要先看那堆NVM做不做得下去