推 abram: 還好我看得懂結論 10/10 18:22
推 cul287: 我也是那麼覺 10/10 18:22
推 monguly00: 這樣寫 文組看的懂才有鬼 10/10 18:22
噓 Rimi5566: 工科跨某 10/10 18:23
推 alog: 嗯嗯 快點推 以免人家說我不懂14 10/10 18:23
推 badkidXD: 三星這群垃圾 10/10 18:23
→ badkidXD: 搞不好他們這群狗根本沒用14奈米製程 10/10 18:24
三星我印象他們S6的CPU是使用14奈米的製成
只是在同樣安卓陣營大殺四方
但是但是
這次S810是開給TSMC做的
台GG在20奈米搞了高通
所以可以說互相扯平啦
※ 編輯: ExpressCrass (115.43.223.231), 10/10/2015 18:25:43
推 tmwolf: 我也這麼認為 10/10 18:24
→ drigo: 文組只看得懂結論部分，洩洩 10/10 18:25
推 winner27: 14nm做出來比16nm鳥還敢拿出來賣真的有夠屌... 10/10 18:25
→ Syffence: 文組看到第一行就中離 10/10 18:26
推 iamgyfan: QQ 10/10 18:26
→ w60904max: A8也是TSMC 20nm阿 是高通自己砸鍋吧 10/10 18:26
推 missin: 耗電又低良率，GG 10/10 18:26
→ s866217: 推 10/10 18:26
推 Cold5566: 看得懂屁眼 給推 10/10 18:26
推 pkmu8426: 不錯 似懂非懂 10/10 18:27
→ w60904max: 三星的S6 CPU 給gg做 搞不好也是像這次一樣 屌打自家14 10/10 18:27
※ 編輯: ExpressCrass (115.43.223.231), 10/10/2015 18:27:54
推 fallen01: 就是***半桶水 leakage current都搞不定 10/10 18:27
推 MacOSX10: 不對吧 跑分評測結果目前網上看到的都是台積贏三星 10/10 18:28
→ wsxasd123: 嚴格講起來 810 是Q社自己搞笑, 趕鴨子上架的產品 10/10 18:28
→ rogergon: 85mm^2，唉，不忍噓了。 10/10 18:29
少打了個小數點r 別這樣 我難得發認真文欸o'_'o
→ ArSaBuLu: 怎麼不說GG偷偷用10nm 卻騙大家自己是16nm 10/10 18:29
→ wsxasd123: 沒做任何optimize就噴出來的爛貨, 跟當年nVidia 10/10 18:29
※ 編輯: ExpressCrass (115.43.223.231), 10/10/2015 18:30:36
→ wsxasd123: 一樣沒能力改架構生出來的tegra 3一樣爛 10/10 18:30
推 Galm: 就說了啊,***只想拚製程用低價搶單,好像越小越屌,結果... 10/10 18:30
推 Leoreo: 翻譯:總之就是顆狂漏電的廢物 10/10 18:30
推 edward811022: 只看的懂最後幾句 快點推 免得 10/10 18:30
→ wsxasd123: 這件事證明了不要呆呆的拿ARM reference design去玩 10/10 18:30
→ wsxasd123: 下場都是悽慘無比 10/10 18:31
噓 yytseng: 台積的看這篇應該會笑，ㄧ知半解也要教文組 10/10 18:34
別這樣r 我也只是個肥宅學生 還沒去回收場賣肝
從書上念到的大致就這樣
業界的詳情我也不清楚 我只是把知道的分享一下o'_'o
→ Galm: 記得沒多久前不是有新聞在捧***製程上面說什麼超越了GG XD 10/10 18:34
推 silentence: 結論:潮水退了,三星的褲子也不見了 10/10 18:35
我是之前看一篇文章說三星小贏1~2%啦 o'_'o
可能大大這篇也是對的
測試條件不同的話數據分析也可能不同ㄅ
推 flybow: 經過810高通不下單給GG了，改找＊＊＊，之後應該會找中國 10/10 18:36
※ 編輯: ExpressCrass (115.43.223.231), 10/10/2015 18:37:17
→ flybow: ＊＊＊很聰明啊，直接決戰新世代的製程 搞舊的贏不了啊 10/10 18:37
推 amethystboy: 文組還是看不懂啦！ 10/10 18:37
→ saedn: 我可以拿效能好的*** 換 gg 嗎 oaq 不用加錢唷 10/10 18:37
推 iamten: 推啊....................其實看不懂 10/10 18:38
推 oidkk: 推 10/10 18:38
推 fluffyradish: ***就28被打爆,直接跳14越級打怪 10/10 18:39
推 xevaxxx: 熱心高手給推 10/10 18:40
→ fluffyradish: 本來是大好機會的誰知道***沒那個屁股 10/10 18:40
推 dsync: ***14nm 看來真的做不太好 4月 S6的續航力也是低S5 22% 10/10 18:41
→ sean920909: 跟我想的一樣 10/10 18:42
噓 anymore520: 裝懂比不懂還可怕，拜託不要來誤導民眾好嗎 10/10 18:42
推 Jiummay: 可以請噓文的高手出來開釋嗎? 很厲害的樣子 10/10 18:43
推 swilly0906: 看不懂 但說明的很好 10/10 18:45
推 dsync: 另外台GG 20nm 應該沒搞什麼高通吧 是高通自己設計差 10/10 18:46
噓 cocokeke1556: 製程大小指的是transistor gate的寬度哦 10/10 18:46
是ㄇ 那可能是我唸書唸錯惹 之前印象教授是說Drain和Source之間的通道長度是製成
大小的取決方向 我等一下去翻一下屎蜜絲電子學好惹
推 a45306521: 直接結論就好了 10/10 18:48
推 Kmmmmmmmmmmt: 就是是買未完成的實驗性半成品XDXD 10/10 18:48
※ 編輯: ExpressCrass (115.43.223.231), 10/10/2015 18:51:50
推 bmjack: 不推 別人還以為我看不懂 10/10 18:50
推 e1q3z9c7: 跟我想的一模一樣 被你搶先講了 10/10 18:52
→ littlegreen: 我替文組翻譯：馬英九當總統 understand? 10/10 18:53
噓 am163178: 懂一半不要亂教人好嗎 還有高通是自己設計瑕疵怪台積幹 10/10 18:54
→ am163178: 嘛 10/10 18:54
→ asxc530530: \台GG/\台GG/\台GG/ 10/10 18:56
→ wsxasd123: 那個糾正人家是 gate length 的也太好笑, gate length 10/10 18:57
→ wsxasd123: 不就是 source to drain 的 channel length? 10/10 18:57
→ wsxasd123: 這就好像在說 "不對, 不能叫總統, 要叫國家元首" 一樣 10/10 18:58
→ wsxasd123: 腦包, 讀書讀去背上的標準範例 10/10 18:59
推 NTUinfo: 良率問題吧 感謝輪班星人的努力 10/10 18:59
推 weidersin: 三星的品質一定符合蘋果要求拉 只是GG品質太強 10/10 19:00
推 yytseng: length都是等效的，drawn的會大些，16/14都是喊給外行 10/10 19:04
推 dkchronos: S810是高通自己搞得包，我想跟台GG無關 10/10 19:06
推 melissatw: 跳去三星的雞雞GG了 10/10 19:07
推 kaoyoshuai: 電機系看不懂 10/10 19:15
→ lazioliz: 104.5mm^2 - 96mm^2 = 8.5mm^2似乎不是唯一解 10/10 19:19
推 k7117836: 寫的簡單易懂! 10/10 19:21
推 fgh81113: 看無... 10/10 19:25
推 horseorange: 看得懂結論 給你推 10/10 19:26
推 hadumdum: 趕快推 10/10 19:26
推 cocokeke1556: lengthe 單字是長度哦，跟gate size不一樣喔 10/10 19:31
→ cocokeke1556: 笑人之前，先查一下英文單字，謝謝 10/10 19:32
推 goodideals: 其實不同製程design也不ㄧ樣 三爽漂那麼大 苦了IC des 10/10 19:40
推 wsxasd123: 可憐, 自爆一次不夠還要自爆兩次, 你知道什麼是 10/10 19:40
→ wsxasd123: feature length 嗎? 你是在說施敏講的不對你這個半吊子 10/10 19:42
→ wsxasd123: 講的才對嗎? 你要不要寫信去給施敏說: 你講的不對, 請 10/10 19:43
→ wsxasd123: 把你的著作半導體元件物理更正然後出第四版 10/10 19:43
→ wsxasd123: 還查一下單字咧, 我知道你查了然後一樣自爆 10/10 19:44
→ wsxasd123: 你知道什麼是餵豬吃人參嗎? 10/10 19:44
→ cocokeke1556: gate size 不一定等同於 lengthe 10/10 19:46
推 fransice7: "我盡量用文組可以理解的方式說明" XDDDDDDDDDDDDDDDDD 10/10 19:47
→ wsxasd123: 秀兩次下限不夠還要秀第三次, 你老師都在上吊了 10/10 19:49
→ wsxasd123: 在施敏的著作裡, gate length 跟 feature length 都是 10/10 19:49
→ wsxasd123: 一樣的東西, 到底想要狡辯什麼呢? 10/10 19:50
→ wsxasd123: 上網嘴炮嗆人前, 好好把施敏的聖經唸過一遍可以嗎 10/10 19:51
推 lovelebron24: 推 10/10 19:51
→ wsxasd123: 一本兩千有找, 很便宜啦 10/10 19:52
推 saint01: 推 10/10 20:12
噓 iverson22: 不覺得你有用文組理解的方式說明，你打那句只是想嗆文 10/10 20:15
→ iverson22: 組吧？ 10/10 20:16
噓 newtyper: 翻成中文：三星狗垃圾滾喇幹 10/10 20:18
推 miumiukoko: 理組不是電子類的也看不懂 10/10 20:19
→ sholin: FET觀念都錯,在你還有點創意,再寫一篇吧 10/10 20:24
噓 nitvx: 台G哪裡搞高通了 高通那什麼爛設計 10/10 20:34
推 munichuihsin: 單字很簡單,可速不知道是啥?哈哈,隔行如隔山. 10/10 20:45
推 dormice: 你可以說中文嗎 10/10 20:47
→ stevenkuo: 哪一段是文組懂的？ 10/10 20:55
推 cocokeke1556: 給原po：對不起我搞錯了，我剛又去翻了一下書 10/10 21:00
→ cocokeke1556: 製程寬度是指 gate length 沒錯 10/10 21:00
→ cocokeke1556: 我有跟公司內的rd求證，對不起，是我記錯 10/10 21:01
→ cocokeke1556: 一開始我說的是 gate metal 和 gate oxide 的寬度 10/10 21:03
→ cocokeke1556: fab製程裡我認為 gate metal 和 length是有誤差的 10/10 21:04
→ cocokeke1556: 總而言之，就是我搞錯，你不用去問老師啦XDDD 10/10 21:04
→ jameshcm: Apple設計晶片是只提供電路圖，讓代工廠自行去layout； 10/10 21:05
→ cocokeke1556: SORRY 一鞠躬 10/10 21:05
→ jameshcm: 還是連layout都幫忙做好了，只差光罩細節讓代工廠微調？ 10/10 21:06
→ jameshcm: 因為這兩種做法出來結果會差很多....覺得應該是前者 10/10 21:06
→ jameshcm: 有鄉民說這次是TSMC半買半相送，多花了精神做出超越標準 10/10 21:07
→ jameshcm: 的產品，SamSung只是循規蹈矩做到及格；可惜那篇他自刪 10/10 21:07
→ jameshcm: 謝謝解惑 10/10 21:08
推 cocokeke1556: 通常會做到 gate oxide 和 gate length 幾乎一樣 10/10 21:09
→ jameshcm: 這篇明明就只有電子科系，且修過半導體製程的人才看得懂 10/10 21:11
→ jameshcm: 原PO很故意 XD 10/10 21:11
推 conbanwa: 資工系看得懂一半欸... 10/10 21:15
推 dummydoll: 嗯........原來是這樣啊！ （假裝中) 10/10 21:17
推 cocokeke1556: 但是，微影能力必須跟上 gate length 的寬度 10/10 21:29
→ cocokeke1556: 才做的出等同於 gate length 寬度的 oxide和metal 10/10 21:30
→ cocokeke1556: 恩...某方便來說...這兩者是互相的... 10/10 21:31
推 h73o1012: 出量子運算cpu我再買 10/10 21:43
推 cocokeke1556: 樓上，量子處理器可能還要再等30年喔.... 10/10 21:45
推 cocokeke1556: 舉個例好囉，可把length做到 10nm，但你上面的gate 10/10 21:58
→ cocokeke1556: Oxide 和gate metal不一定可以縮到 10nm 10/10 21:59
→ cocokeke1556: 請問這樣有用嗎，號稱讀很多書的某樓，你真的懂製程 10/10 21:59
→ cocokeke1556: 嗎XD? 10/10 22:00
→ cocokeke1556: gate size跟不上，光是那個length到有用嗎XD? 10/10 22:02
推 linx210145: 有GG人出來救援一下嗎 10/10 22:19
推 sirs2233: 資工推 只看懂一些R 10/10 22:44
推 repot: 你這最好文組看得懂... 10/10 22:56
→ wsxasd123: 秀三次下限不夠還要秀四次, 你知道現在的SiON做到多薄? 10/10 23:07
推 wsxasd123: 你知道現在的 high-k dieletric 做到多薄? 早就比 10/10 23:09
→ wsxasd123: gate length 還小了, 你以為SiON是怎麼出來的? 10/10 23:10
→ wsxasd123: 他媽的不懂就不懂, 可恥的是不懂不承認還嘴硬 10/10 23:10
→ wsxasd123: 最最最可恥的是不懂不看書又不問人只會靠作夢 10/10 23:11
噓 Lespedeza: 偷戰文組 10/10 23:13
噓 wsxasd123: 連atom-layer diposition都沒聽過就想戰, 嫩喀 10/10 23:14
推 cocokeke1556: 我真的不知道atom-layer diposition跟gate length 10/11 00:04
→ cocokeke1556: gate oxide 的size有啥關聯，大師講解阿XD 10/11 00:04
→ cocokeke1556: 你以為我講的是厚度嗎..如果是這樣我真的要笑了 10/11 00:05
→ cocokeke1556: 誠心請教 10/11 00:06
→ cocokeke1556: 你真的知道Source 和 drain怎麼做的嗎? 10/11 00:07
→ cocokeke1556: 滿嘴嫩咖，餵豬吃人參，腦包 小弟我誠心請教阿? 10/11 00:10
→ cocokeke1556: 一開始我目幹以為原po打 lengthe 10/11 00:53
→ cocokeke1556: 後來我也認錯了，去求證，證實gate oxide 和metal 10/11 00:54
→ cocokeke1556: 要做的跟 底下的length 一樣，從製程微縮能力來看 10/11 00:55
→ cocokeke1556: 現在瓶頸卡在光學，不是擴散和植入 10/11 00:56
→ cocokeke1556: 所以嚴格來說，一半還是取決於gate oxide 和 metal 10/11 00:58
→ cocokeke1556: 可否作的出來 10/11 01:00
→ cocokeke1556: 所以大師我想請教，那些多薄跟我的gate length有啥 10/11 01:01
→ cocokeke1556: ^^ 10/11 01:01
→ cocokeke1556: 關聯? 10/11 01:01
→ cocokeke1556: 喔對了我說的寬度就是length的距離喔，習慣問題 10/11 02:10
噓 stosto: 台積搞高通？別亂說 10/11 02:45
→ stosto: 明明就是高通自己設計不良還要台積幫忙解 10/11 02:46
推 stosto: 另外別在幫三星補腦了，根本不是台積做太好的關係。 10/11 02:51
噓 Godmyfriend: 我不知道你在講哪國的FinFET 不要誤人子弟 10/11 03:53
噓 sasuka9985: 不要偷戰文組 10/11 03:55
推 fxfmouse: 詳細推 10/11 06:10
噓 QE77777: 噓你一知半解就出來亂交 學生還是把自己本分顧好吧 10/11 07:04
推 wgs62160000: 專業 10/11 08:22
→ jimlexus: ***<<TSMC 文組：理解了 10/11 08:59
噓 lapentti: s810是高通自己砸鍋了吧？ 10/11 10:27
推 cocokeke1556: 咦，人勒，？ 10/11 10:43
推 cocokeke1556: 人家在講微影能力，卻扯到薄膜沉積去XD，解釋一下 10/11 12:35
推 cocokeke1556: 關聯性啊XD？ 10/11 12:36
推 cocokeke1556: 人家問你跑多遠，你卻回答他飛多高XDDD？ 10/11 12:40