以下是一篇的研究報告讓大家作為一個參考這樣
2000 Q3將轉換至0.175μm製程，更具成本優勢
華邦DRAM產品量產製程目前為0.2μm製程，公司將於2000 Q3全部轉成0.175μm製程，並
自今年十月起全數出貨。根據華邦建廠支出與產能之關係，可以概算出華邦每片晶圓製
造成本約為1300美元，因此在0.175μm製程下，每片八吋晶圓毛顆粒數(Gross Die)將
增加至810顆，若以晶圓製造成本1300美元/每片、封裝測試成本1.2美元/每顆計算，良
率80%時的顆粒成本將降至為3.28美元；相較於原來的0.2微米製程，成本大幅降低了24.2%
，若由裸晶成本來看，則0.175μm製程將較0.2μm製程大幅降低近34%，降幅更大。
華邦之新舊DRAM製程成本差異分析
單位：美元
原製程 新製程
製程 0.2μm 0.175μm
晶圓成本(每片) 1300 1300
毛顆粒數/每片 520 810
假設良率 80% 80%
淨顆粒數/每片 416 648
裸晶成本/每顆 3.13 2.08
封裝測試成本/每顆 1.2 1.2
顆粒總成本/每顆 4.33 3.28
以上皆為初部的估計值
64Mb DRAM產量可望自2000 Q3起倍增，有助公司營收大幅躍升
華邦之DRAM產品主要由晶圓四廠及五廠進行生產，今(2000)年初四廠產能為15,000片/月
，五廠產能為8,000片/月，合計DRAM總產能為23,000片/月；華邦今年將投入150億元資
本支出，預定年底將擴增產能到四廠17,000片/月，五廠16,000片/月，合計33,000片/月。配合DRAM製程由0.2微米提升到0.175微米，華邦約當64Mb DRAM月產出可由年初約900萬顆/月，提升到年底將近1,700萬顆/月，單月營收在產量大幅提高情況下，可望呈現倍數成長。
華邦晶圓廠DRAM產能現況
單位：片/月；千顆/月
晶圓尺寸 八八年底 八九年底
四廠 8吋 15,000 17,000
五廠 8吋 8,000 16,000
合計 23,000 33,000
約當64Mb DRAM產量 9,000 17,000
以上皆為初部的估計值
與東芝、富士通共同研發0.11微米先進製程
除現有產品的既有競爭力外，華邦亦積極從事先進製程技術的研發，藉以維持並提升公
司市場競爭力；今年(2000)五月華邦宣布加入東芝及富士通的技術開發聯盟，共同研發
下一代先進製程技術。此項耗資300餘億日圓的技術開發聯盟是由東芝與富士通兩家半導
體大廠率先發起，主要目標本為開發0.13μm先進DRAM製程技術；而在華邦加入聯盟後，
三方將合力把製程推升至更新一代的0.11μm製程；預計在2001下半年推出0.13μm深溝
式(Trench) 512Mb DRAM，2002年底推出0.11μm堆疊式(Stack) 1Gb DRAM。
此次華邦能以研發夥伴的身分加入聯盟，意味著華邦的製程能力與研發水準已獲
得肯定，華邦除於未來不須支付鉅額權利金即可享有先進研發成果外；透過此一聯盟，
華邦將可領先同業跨入更先進DRAM產品領域，相對於國內其他DRAM廠仍停留在依賴技術
移轉的階段，華邦在技術層次上將更勝一籌。
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