推 pttresident:試著提高Ar比例？ 03/04 20:15
推 SkyLark2001:改用sputtering etch就可以了 03/06 04:54
各位大大好
我的材料是四族
深寬比約0.1
使用的光阻是AZ5214(2000rpm)
post bake 150度10min(hot plate)
RIE用的氣體是CF4(80%) O2(10%) Ar(10%)
RF power 30w
目前吃出來的圖形總是會呈現梯形___◢████████◣___
離老師要求的垂直側壁 ___██████████___
還差很遠Orz
請問我該如何改進才能達到我的要求呢??
抱歉這問題可能有點淺，但我念機械出身半導體製程實在很苦手...
麻煩各位解答了
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◆ From: 140.123.123.208
※ 編輯: uehara19k 來自: 140.123.123.208 (03/04 13:14)