[問題] icp 蝕刻 silicon

[tengyuan (tengyuan)]

我請人幫我製作e beam writer

上的光阻是pmma a4

厚度約200nm

因本實驗室沒有這方面的經驗

但有負型光阻nr7-1000p

有去做過icp的參數

          STEP1    STEP2

CF4          20

CL2                  20

ICP POWER   600      600

BIAS POWER  200      200

PRESSURE     4        4

TIME        60s      約1-2min

我只要蝕刻silicon，pattern是光柵狀的，週期360nm，線寬180nm

不知是否可用上面nr7-100的參數來對應pmma的參數?

我最後有做硬烤的動作 100度/90sec

不知pmma是否耐不耐打?


--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) 
◆ From: 140.117.32.248
推 Jeffch:你要吃多深?
→ tengyuan:我希望能夠吃100nm~200nm左右
→ NicolaiGedda:哪一家的機台?
→ tengyuan:中山的，nr7-1000p的光阻用上面的參數打Cl2一分鐘~150nm
→ tengyuan:三分鐘約快300nm，只是打太久感覺邊邊有被吃掉的感覺
推 Jeffch:我沒有用過nr7-100做EBEAM，但就我用過的EBEAM光阻而言，正
→ Jeffch:光阻(ZEP, PMMA,...)是比負光阻(NEB,...)耐打許多，如果你
→ Jeffch:真的擔心的話可以把PMMA再加厚一點...
→ tengyuan:nr7-1000p是用黃光微影做的，EBEAM是用PMMA做的