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想請問一下 就是ZnS/CdSe 為什麼shell(ZnS)可以improve quantum yield? 是有什麼mechanism嗎? 還是還沒有解釋 只是大家做出來都這樣= =" 還有就是paper上寫說 因為ZnS的bandgap比CdSe的大 所以可以消除core(CdSe)的surface defect 這個我也不太懂Orz 因為我是自己看paper的 研究不是做這個 希望板上大大知道的可以幫忙解答一下 還是我PO錯版了(._.?) 我只知道這個跟nanotechnology有關= =" 不知道要PO物理版 還是化學版 還是半導體之類的版Orz -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 59.115.238.194 ※ 編輯: voices 來自: 59.115.238.194 (06/11 19:50)
Ice98:你沒PO錯板, 歡迎!~~ 06/11 21:28
sunnies:以電磁學的角度看 可能核心介電係數不同吧 06/11 23:26
sunnies:剛好自己再研究金屬殼介電核心的量子效率的問題 06/11 23:27
sunnies:不過好像跟你問的量子點不太同 不過我有學長在研究QD 06/11 23:28
voices:謝謝s大回答 雖然我是不是很懂 隔行如隔山Orz 06/12 15:13
voices:回版主:所以有關nanotechnology都可以在這裡討論? 06/12 15:14
voices:因為nanotechnology是跨領域跨得很扯 06/12 15:15
voices:很難找一個適當的地方討論 身邊也沒有同好可以討論T.T 06/12 15:16
Looming:推 06/12 16:17
Ice98:是的, NEMS/MEMS本來就是跨領域跨得很扯的東東ㄚ!~~ 06/13 00:39
MrCafe:因為表面的Cd容易跟O2結合變成CdO造成defect state. 06/15 23:34