推 soyoh:學長好棒阿Orz 140.114.51.113 08/30
推 starmen:死蒐油..不要裝死!!! 218.184.56.72 08/30
※ 引述《domnic (日本輸澳洲~~不會ㄅ^^||)》之銘言：
: 各位學長姐麻煩您囉!!以下總共有11項~~~~
: 1.奈米晶記憶體-----
我就所知的講一下好了....
現在常使用的flash memory是使用floating gate的結構
所謂的floating gate就是在傳統的MOS結構中間夾一層poly-Si
變成poly-Si/SiO2/poly-Si/SiO2/Si結構
利用兩個gate可以將charge儲存在SiO2電容裡面...
(Si上面的oxide是用來形成shottcky barrier防漏電用的....跟第一層不一樣)
現在為了簡化, 有一種結構, 也就是直接在SiO2裡面, doping一些雜七雜八的鬼東西
讓他形成quantum dot, 之前有提出來的是Ge quantum dot,
而目前我們實驗室是利用doping Pt particle, 利用這些東西,
將charge trapping在裡面...(基本上你可以將它視為人工的defect)
這樣可以儲存資料...
that's all!!!!
我的心得是:反正我說的已經很簡單了, 但是大一的依舊聽不懂
也不知道是誰想出這種專題制度的....
我在想大概只是滿足一下高中生剛上大學的好奇心吧...
不過這樣也好啦...
提早見識一下人家怎麼做實驗也好啦...
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