※ 引述《starmen (衝了啦)》之銘言：
: ※ 引述《domnic (日本輸澳洲~~不會ㄅ^^||)》之銘言：
: : 各位學長姐麻煩您囉!!以下總共有11項~~~~
: : 1.奈米晶記憶體-----
: 我就所知的講一下好了....
: 現在常使用的flash memory是使用floating gate的結構
^^^^^^^^^^^^快閃記憶體...
: 所謂的floating gate就是在傳統的MOS結構中間夾一層poly-Si
: 變成poly-Si/SiO2/poly-Si/SiO2/Si結構
這樣嗎?? = =|||
poly-si
sio2
poly-si
sio2
: 利用兩個gate可以將charge儲存在SiO2電容裡面...
^^^^^不懂
: (Si上面的oxide是用來形成shottcky barrier防漏電用的....跟第一層不一樣)
: 現在為了簡化, 有一種結構, 也就是直接在SiO2裡面, doping一些雜七雜八的鬼東西
: 讓他形成quantum dot, 之前有提出來的是Ge quantum dot,
: 而目前我們實驗室是利用doping Pt particle, 利用這些東西,
: 將charge trapping在裡面...(基本上你可以將它視為人工的defect)
: 這樣可以儲存資料...
: that's all!!!!
: 我的心得是:反正我說的已經很簡單了, 但是大一的依舊聽不懂
果然聽不太懂...在SiO2中doping的東西是奈米晶嗎??
依我的理解好像是這樣....不過真的很難T___T
: 也不知道是誰想出這種專題制度的....
: 我在想大概只是滿足一下高中生剛上大學的好奇心吧...
: 不過這樣也好啦...
: 提早見識一下人家怎麼做實驗也好啦...
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◆ From: 219.84.10.14