※ 引述《jasteralan (豪貓)》之銘言：
: ※ 引述《starmen (衝了啦)》之銘言：
: : 我就所知的講一下好了....
: : 現在常使用的flash memory是使用floating gate的結構
: ^^^^^^^^^^^^快閃記憶體...
嗯
: : 所謂的floating gate就是在傳統的MOS結構中間夾一層poly-Si
: : 變成poly-Si/SiO2/poly-Si/SiO2/Si結構
: 這樣嗎?? = =|||
: poly-si
: sio2
: poly-si
: sio2
是
btw, 你也可以疊很多層
這樣會變成另外一種打死flash memory的東西
叫做matrix
詳情請洽台積八廠
: : 利用兩個gate可以將charge儲存在SiO2電容裡面...
: ^^^^^不懂
電荷
: : (Si上面的oxide是用來形成shottcky barrier防漏電用的....跟第一層不一樣)
: : 現在為了簡化, 有一種結構, 也就是直接在SiO2裡面, doping一些雜七雜八的鬼東西
: : 讓他形成quantum dot, 之前有提出來的是Ge quantum dot,
: : 而目前我們實驗室是利用doping Pt particle, 利用這些東西,
: : 將charge trapping在裡面...(基本上你可以將它視為人工的defect)
: : 這樣可以儲存資料...
: : that's all!!!!
: : 我的心得是:反正我說的已經很簡單了, 但是大一的依舊聽不懂
: 果然聽不太懂...在SiO2中doping的東西是奈米晶嗎??
: 依我的理解好像是這樣....不過真的很難T___T
你要叫他是什麼就是什麼
名字隨便你取
: : 也不知道是誰想出這種專題制度的....
: : 我在想大概只是滿足一下高中生剛上大學的好奇心吧...
: : 不過這樣也好啦...
: : 提早見識一下人家怎麼做實驗也好啦...
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