課程名稱︰半導體製程概論
課程性質︰選修
課程教師︰吳乃立
開課學院：化工系
開課系所︰化工系、化工所、奈米科技學程、光機電學程
考試日期（年月日）︰2008/4/21
考試時限（分鐘）：120
是否需發放獎勵金：是
（如未明確表示，則不予發放）
試題 :
(1)寫出IC的中、英文全名(5%)?
(2)以導電載子濃度的觀點，說明製程中使用之化學原料何以需要求雜質小於ppb之範圍?
(5%)
(3)解釋IC晶圓製造之摩爾定律(Moore's Law)(5%)? 以該定律預測兩年後PC為處理器的運
算速度為目前的幾倍？(5%)
(4)晶圓廠製造技術的兩大技術指標為何？(5%)
(5)對於一600步驟的IC製程，若要達到總良率95%，則各步驟平均所必須達到之良率為何
？(5%)
(6)解釋CMP(從Si單晶柱(ingot)製成晶圓(wafer)之間所採行之步驟之一)？(5%)
(7)解釋'一級(class 1)'潔淨室的標準(5%).
(8)(a)繪出n-MOS之元件截面圖，需註明各部材料與各區極性及電極名稱(5%)。
(b)畫出汲極電壓、電流及閘極電壓三者的關係圖(5%)。
(9)說明半導體用於電致發光(例如 LED)及太陽能發電原理(10%)。
(10)說明晶粒封裝之理由與種類(5%)。
(11)考慮一Si晶圓(晶圓A)含ND(P濃度)=4*10^(15) cm^(-3)，
(a)該晶圓為 p 或 n型，電洞與自由電子之密度分別為多少？(5%)
(註:在 25 ℃ ，本徵電子濃度 ni=1.45*10^(10) cm^(-3))
(b)另一晶圓(晶圓B)含ND(P濃度)=2*10^(16) cm^(-3)，估算兩晶圓電阻率的比值為
何？(5%)
(c)若晶圓A表面再均勻摻雜晶圓B，NA=1*10^(-17) cm^(-3)，則該表面層為 p 或 n
型，電洞與自由電子之密度分別為多少？(5%)
(12)說明採用磊晶(epi-)矽薄膜之用途(5%)及其製成(5%)
(13)以方程式表示CZ法長單晶製程中相關支個熱傳遞機制(以圖示輔助說明)(10%)。
※ 編輯: stevenabou 來自: 140.112.5.39 (06/20 21:51)