課程名稱︰半導體製程概論
課程性質︰選修
課程教師︰吳乃立
開課學院：化工系
開課系所︰化工系、化工所
考試日期（年月日）︰2005/5/9
考試時限（分鐘）：120分鐘
是否需發放獎勵金：yes
（如未明確表示，則不予發放）
試題 :
(1)畫出CMOS之截面圖，需標示各區極性(p-type or n-type)(5%)
(2)說明什麼是 (1)poly-Si;(2)a:Si;(3)epi-Si 及其用途(10%)
(3)定性地繪出一n-Si晶圓中電子密度與溫度的關係圖並標明室溫(25℃)的大約位置(5%)
(4)說明在IC製程發展中為提高良率所採取的兩大趨勢為何？(5%)
(5)說明在化學氣相沈積製備Si薄膜製程中，若得到的薄膜結晶度不夠良好，身為製程工
程師的你列舉兩種改變製程參數的方法來提高Si薄膜的結晶度(需說明理由)(10%)
(6)敘述從Si單晶柱(ingot)製成晶圓(wafer)之間必須經過的步驟？(5%)
(7)寫出由砂石煉出電子等級Si之相關化學與物理程序(5%)
(8)例舉除Si以外之三種半導體材料及其用途(10%)
(9)說明晶粒封裝種類(5%)。
(10)考慮一Si晶圓含NA(B濃度)=5*10^(15) cm^(-3)，
(1)電洞與自由電子之密度分別為多少？(5%)
(註:在 25 ℃ ，本徵電子濃度 ni=1.4*10^(10) cm^(-3))
(2)若該晶圓表面再均勻摻雜砷 NAs=2.0*10^(17) cm^(-3))，則該表面層為 p 或
n型，電洞與自由電子之密度分別為多少？(5%)
(11)解釋'一級(class 1)'潔淨室的標準及其室內氣流之流動形態(5%)
(12)繪出pn二極體之能帶圖並標明Ev、Ec、Ef之相對位置(5%)
(13)繪出二極體與MOS電晶體的I-V圖
(14)(a)利用熱平衡原理演導Czochralski長晶法中的拉晶速度與晶圓半徑的關係(10%)
(b)身為製程工程師建議一個方法可縮短半徑變化區段的長度(5%)
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