台積電90奈米技術第四季試產 領先全球
記者李珣瑛／新竹報導
台積電技術長胡正明昨（19）日表示，今年第四季台積電可望領先全球，
提供微處理器、繪圖晶片客戶90奈米（0.09微米）製程的生產技術，比最
新版的國際半體技術藍圖提前二年，也比英特爾、IBM、東芝等大廠領先
胡正明同時表示，台積電利用現有設備，領先全球，成為第一家開發完成
35奈米CMOS FinFET「新元件」技術的廠商；可以提高晶圓的晶片產量，並
降低成本。
胡正明昨天參加「電子與構裝技術的奈米科技應用論壇」時指出，根據2001
年12月最新版的「國際半導體技術藍圖」規劃，2004年電晶體線寬的製程
技術將降到90奈米，而台積電今年第四季就會提供90奈米製程技術，將是
全世界第一家量產90奈米的公司，並規劃2005年推出65奈米製程技術。台
積電這二項製程技術，都比國際半導體技術藍圖的規劃時程領先二年。
胡正明表示，半導體製程技術從130奈米降至90奈米，是半導體發展的必經路
程。目前世界級晶圓大廠在90奈米的開發進度，英特爾（Intel）宣布明年提
出，IBM、日本東芝則尚未宣布，估計應與英特爾相差不遠。
胡正明分析，根據台積電的經驗，新製程技術推出幾個月後，就會有客戶的
產品進入試產階段。採用90奈米製程技術的優點包括: 降低生產成本、增加
產品性能。目前，單是一套0.1微米製程技術產品的光罩，就得耗資150萬美
元，量產成本相當昂貴。
在新元件的開發上，胡正明說，台積電利用現有製程設備，領先全球成為第
一家生產35奈米互輔式金屬氧化半導體（CMOSFinFET）新元件技術的公司。
所謂「FinFET」技術，是解決電晶體線寬越做越小，所產生的漏電干擾問題
，採用魚鰭般的雙閘特殊設計，可縮小電晶體、密度提高，晶圓產出的晶片
顆數增加，並降低成本。
胡正明指出，隨著製程技術進入奈米級，足以讓半導體產業再發展20年，再
轉入新技術發展領域。2000年全球半導體產值2,000億美元，台灣只占5%，顯
示台灣的半導體業向上成長的空間還很大，奈米技術有機會使台灣提高到10%
以上；每增加5%，台灣將可增加5,000億元的產值。
胡正明說，新材料是半導體產業有待突破的方向，如絕緣體、薄材料及矽鍺
材料，可增加40%至50%的變動性，讓電流量增加；目前，這種複合式的矽材
料，全球只有IBM、東芝與台積電三家公司投入開發。
胡正明強調，台積電創造營收與利潤的考量下，在前瞻性的先進奈米技術上
，必需依賴學術界及工研院的合作研發。台積電已經先後和工研院、清大、
交大、及台大簽訂研究合約，進行磁性記憶體（Magnetic RAM）等技術開發
的合作案。
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