Intel近日親口承認，備受關注的極遠紫外光刻(EUV)技術可能又要推遲了，要趕不上10nm
工藝這一里程碑步驟希望渺茫。
Intel目前的計劃是在14nm工藝上擴展193nm沉浸式光刻技術，預計2013年下半年實現，然
後2015年下半年進步到10nm工藝，同時首次啟用EUV技術。
儘管10nm工藝看起來還非常遙遠，但是Intel已經開始製定相關的設計規則了，EUV則很可
能將錯過這場盛宴。尼康公司贊助的LithoVision光刻技術大會上，Intel光刻技術主管
Sam Sivakumar坦白地承認：“ EUV遲到了，趕不上10nm工藝設計規則的定義。 ”
儘管如此，Sivakumar還是說EUV仍然有很大的機會與10nm工藝肩並肩登場，前提是相關的
製造設備能再2012年下半年供貨。 就算是那樣，EUV也只能趕上末班車。
Intel EUV光刻設備的供應商將在荷蘭ASML Holding NV、日本尼康之間選擇。 據報導，
ASML已經向Intel出貨了一套預產型EUV光刻設備，型號“NXE:3100”，使用了Cymer Inc
公司的光源。 尼康則正在日本總部和Selete研發組織設計Alpha測試階段的EUV光刻機。
如果一切順利，兩家公司今年或者明年都能出貨全功能、量產型的EUV設備。
EUV極遠紫外光刻是下一代半導體光刻技術，最初計劃用在65nm工藝階段，但因為種種原
因而一再推遲 ，半導體廠商將不得不先行採用成本昂貴的雙層圖案光刻技術，比如Intel
就會在14nm工藝上啟用名為兩次曝光(pitch splitting)的雙層圖案技術 ，同時也希望能
在14nm工藝上開始進行EUV試驗，但不知道是否來得及。
http://news.mydrivers.com/1/187/187671.htm
2011 22nm
2013 14nm
2015 10nm
數字差距越來越小拉
極限是多少?
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