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消息來源︰http://www.eettaiwan.com/ 今天台積電正式宣佈,業界第一條40nm工藝半導體生產線已經批量投產了。 台積電表示,此一新世代製程包括提供高效能優勢的40奈米泛用型製程(40G)以及提供低 耗電量優勢的40奈米低耗電製程(40LP) 其晶片閘密度(Raw gate density)是65奈米製程的2.35倍,運作功率(Active power) 較45奈米製程減少幅度可達15% 創下業界SRAM單位元尺寸及巨集尺寸最小的紀錄。目前已有數十家客戶進行產品設計 同時,客戶也已頻繁使用晶圓共乘服務進行產品驗證。 台積電指出,45奈米製程的晶片閘密度原本為65奈米製程的2倍,但透過製造上的創新 其40奈米低耗電量及泛用型製程的晶片閘密度更進一步提高,達到65奈米製程的2.35倍。 新的40奈米低耗電量製程適用於對電晶體漏電高度敏感的應用 如通訊及行動產品;40奈米泛用型製程則適用於高效能的產品應用 例如中央處理器、繪圖處理器、遊戲機、網路、可編程邏輯閘陣列(FPGA) 以及其他高效能消費型產品應用。 40 奈米製程係由45奈米製程直接微縮(Linear shrink),而其SRAM效能則完全相同 單位元面積僅有0.242平方微米。除了尺寸及效能的雙重優勢外 不論是40奈米泛用型製程或是低耗電量製程,都可以搭配混合訊號、射頻以及嵌入式DRAM 製程,以滿足多種不同的產品應用。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.135.126.16
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