推 lightnsalt:我倒覺得是他們先在第一層poly上，作nitride再將 07/18 02:13
→ lightnsalt:nitride除去，（仍有微量nitride在下層poly），再長第 07/18 02:14
→ lightnsalt:二層poly，然後作離子佈植。因為先前的那層微量nitride 07/18 02:16
→ lightnsalt:擋住的離子佈植的B。（沒看到原始paper，不確定是不是 07/18 02:17
→ lightnsalt:這樣）但我不認為有誤。 07/18 02:17
→ pasica:原PO可能沒搞清楚技術~推樓上~ 07/18 09:11
→ pasica:至於摘要跟CLAIM不一致，那是因為中文案的removing的步驟 07/18 09:12
→ pasica:並沒有在摘要以及CLAIM提及，但是有在說明說以及圖提及 07/18 09:14
→ pasica:翻譯的時候，可能代理人認為那個REMOVING步驟應該加入CLAIM 07/18 09:14
→ pasica:然後摘要又沒有對應修改~~ 07/18 09:15
→ MasonT:這是呂學士教授上課的資料,原來是呂學士教授不懂技術... 07/18 10:08
→ MasonT:最好樓上兩位比呂學士還要懂啦, 呵呵... 07/18 10:09
推 jerico:樓上的，不需要這樣嗆聲吧！如果專利權人認為CLAIM有問題 07/18 10:14
→ jerico:還可以提出REISSUE 07/18 10:15
→ jerico:並非沒有救濟管道 07/18 10:15
→ jerico:另外，呂學士雖然是有在台大上專利課程`~ 07/18 10:16
→ jerico:畢竟他的專業還是技術，並非專利。 07/18 10:16
推 jerico:看日期，似乎已經過了REISSUE可以擴大申請專利範圍的期限了 07/18 10:20
→ MasonT:我沒嗆聲,只是根據上面兩位所言,推論呂學士不懂技術..:p 07/18 10:30
→ pasica:M兄是否要詳讀此篇美國專利以及台灣專利的實施例後，再提出 07/18 10:40
→ pasica:你的看法與見解，是否較為妥當?? 07/18 10:41
→ pasica:另外，M兄對呂學士云云的推論，並不妥當，因為不排除是M兄 07/18 10:46
→ pasica:而且如果M兄認為removing是錯的，是否可基於技術角度討論? 07/18 10:52
推 kaikai1112:拿出 Title 來壓人 不是正確的討論態度 07/18 18:55
→ kaikai1112:想以力服人 而不是以理服人的人 各位 理他作什 07/18 18:56
→ kaikai1112:既然你這麼推崇呂大教授 直接去請教他就好了 07/18 18:58
→ kaikai1112:何必來這裡 找人 "討論"??????????? 07/18 18:58
→ MasonT:因為跟呂學士不太熟,所以拿他教的內容來這裡討論有啥不對? 07/18 22:03
→ MasonT:不過顯然呂學士在這方面的考據似乎不是很周延.. 07/18 22:04
推 kaikai1112:你還是不懂人家在鞭你什麼的話 麻煩重新看一遍推文 07/18 22:11
→ kaikai1112:重點不是在你討論什麼 是你用怎樣的態度來討論 07/18 22:12
→ kaikai1112:"這是呂學士教授上課的資料,原來是呂學士教授不懂技術" 07/18 22:12
→ kaikai1112:"最好樓上兩位比呂學士還要懂啦, 呵呵..." 07/18 22:13
→ kaikai1112:原句還你 "最好 原po 是有討論的誠意啦 呵呵..." 07/18 22:14
→ MasonT:我實在沒興趣跟你對話... 07/18 22:14
推 kaikai1112:很好 反正無禮嗆人的又不是我 要不要跟人道歉隨你 07/18 22:18
→ MasonT:你實在很囉嗦. 07/18 22:22
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作者: sherrypure (從前從前有一隻小喵咪) 看板: Patent
標題: Re: [閒聊] 有誰知道這件專利案件是哪家事務所辦的 …
時間: Fri Jul 18 00:26:46 2008
※ 引述《MasonT (MasonT)》之銘言：
(恕刪)
: 多了一個 4) removing a layer of nitridized silicon ... 結果這項專利自己把
: 最重要的步驟拿掉了, 所揭露的技術直接成為全人類共同擁有的技術.
: 有人知道這件案子的台灣事務所是哪一間?
: 是美國代理人那邊惡作劇? 還是台灣的事務所的問題?
暫不討論揭露內容是否得宜 或美國案揭露是否能保護標的
本案(US 5,567,638)的美國複代理人是Frost & Jacobs
台灣相應案公告號為273,640(申請號：084102311) 代理人為蔡清福
台灣案先申請 但未主張台灣優先權
如果要查問題出在哪 可以比對一下兩個版本的claim
以第一項而言 美國案確實與台灣案不同
但不會有惡作劇這種情況吧...?
美國案經non final rejection後核准
因此有可能是受到rejection而修過claim範圍
但因申請日太早 沒有image file wraper的建檔
無法證實是否在答辯修過claim
謹提供以上參考
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 61.224.46.39
→ sherrypure:又 蔡清福所屬事務所為道法 07/18 00:31
推 jimmmy:原po是強者 07/18 00:33
推 MasonT:filing date: June 14, 1995; October 22, 1996 就 issue. 07/18 07:58
→ MasonT:這樣像是有經過答辯過的案子嗎? 07/18 07:59
推 piglauhk:像阿..曾接過11個月就第一次核駁的案子 他16個月了耶~ 07/18 09:56
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作者: lightnsalt ("▔﹁▔) 看板: Patent
標題: Re: [閒聊] 有誰知道這件專利案件是哪家事務所辦的 …
時間: Fri Jul 18 16:34:44 2008
※ 引述《MasonT (MasonT)》之銘言：
: 標題: [閒聊] 有誰知道這件專利案件是哪家事務所辦的嗎???
: 時間: Thu Jul 17 23:54:44 2008
: 這兩天上課時拿到的資料,
: United States Patent 5,567,638
: Lin, et al. October 22, 1996
: 交大雷添福教授實驗室的成果, 由國科會出前申請,
: Method for suppressing boron penetration in PMOS
: with nitridized polysilicon gate
: 結果唯一的獨立項變成
: 4) removing a layer of nitridized silicon which is generated by said
: nitridizing step 3) on said at least one first polysilicon layer;
: 多了一個 4) removing a layer of nitridized silicon ... 結果這項專利自己把
: 最重要的步驟拿掉了, 所揭露的技術直接成為全人類共同擁有的技術.
: 有人知道這件案子的台灣事務所是哪一間?
: 是美國代理人那邊惡作劇? 還是台灣的事務所的問題?
: → MasonT:這是呂學士教授上課的資料,原來是呂學士教授不懂技術... 07/18 10:08
: → MasonT:最好樓上兩位比呂學士還要懂啦, 呵呵... 07/18 10:09
: → MasonT:我沒嗆聲,只是根據上面兩位所言,推論呂學士不懂技術..:p 07/18 10:30
: → pasica:M兄是否要詳讀此篇美國專利以及台灣專利的實施例後，再提出 07/18 10:40
: → pasica:而且如果M兄認為removing是錯的，是否可基於技術角度討論? 07/18 10:52
讀書讀久了，養成了考據的壞習慣。
專利文字方面：
本項專利文字敘述可以從http://www.freepatentsonline.com/5567638.html
查到。
在summary of the invention 中：
Between step3) and 4), a step of removing a layer of nitridized
silicon which is generated by the nitridizing step 3) on the
at least one first polysilicon layer with diluted HF
is further included.
本項專利的根據論文：
YH Lin, CS Lai, CL Lee, TF Lei and TS Chao,
"Nitridization of the Stacked Poly-Si Gate to Suppress the Boron
Peneration in pMOS",
IEEE Trans on Electron Devices, Vol 43, No 7, July, 1996
其中II.Experimental:
.....a low pressure (120 mTorr) nitridation in NH3 at
900 “C for 80 min was performed between poly I and poly
I1 for the sample “PHPP’ or between poly I1 and poly I11 for
the sample “PPHP’. The nitridized silicon films were soaked
in diluted HF (HF/H2O = 1/50) before the following poly-Si
layer deposition.
.......
技術方面：
1. HF(concentrated or diluted) 可蝕刻 LPCVD nitride。
2. 本論文之nitridize polysilicon指的應該是nitrogen-rich的polysilicon
而LPCVD nitride步驟是用以提高其下polysilicon 的nitrogen含量。
且 LPCVD nitride為絕緣體，若存在此層而未移除，上層polysilicon與下層
polysilicon間無導通，電晶體應該無法作用（個人猜測）
3. 另
a） T. Kuroi, S. Kusunoki, M Shirahata, Y Okumura, M Kobayashi,
M Inuishi and N Tsuouchi, "The effects of nitrogen implantation into
P+ poly-silicon gate on gate oxide properties", Symp on VLSI Technology,
1994
b) TS Chao, MC Liaw, CH Chu, CY Chang, CH Chien, CP Hao and TF Lei,
"Mechanism of nitrogen coimplant for supressing boron peneration
in p+-polycrystalline silicon gate of p metal-oxide semiconductor
field effect transistor", Appl Phys Lett, 69(12), September 1996
這兩篇論文都是以離子佈值方式提高nitrogen原子在boron-doped poly-Si
gate的濃度，進而達到抑制boron diffusion的效果。
與本篇以LPCVD nitride sacrificial layer方式有異曲同工之處。
所以我認為該專利並沒有寫錯。
歡迎討論。
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 71.134.58.121
推 eedavid:推這邊技術的分析 希望就事論事 別再把呂老師牽扯其中 07/18 20:59
→ eedavid:我也承辦過幾件呂老師下面研究生的發明 基本上 07/18 20:59
→ eedavid:基本上他們都很配合事務所 也很尊重專業 07/18 21:00
推 MasonT:看來專利沒有寫錯, 不過呂學士卻在上課時對這事務所做了 07/18 21:57
→ MasonT:不太適當的批評, 顯然呂學士也沒有把技術內容讀清楚. 07/18 21:58
→ MasonT:感謝原 post的分析, 也請 eedavid轉告呂學士的學生, 07/18 21:59
→ MasonT:不要在演講或上課時再拿這個例子作不適當的說明了... 07/18 22:00
→ eedavid:hi, MasonT, 沒聽過呂老師上課內容，願意分享一下嗎? 07/18 22:02
→ eedavid:至於你原發的討論文 到底要討論什麼呢? 07/18 22:05
→ eedavid:討論該發明是否有被專利範圍保護到嗎? 還是討論呂老師 07/18 22:06
→ MasonT:那只是一個三天的 short course...呂教授講六個小時 07/18 22:06
→ MasonT:他說這篇專利被外國代理人給唬了,多加了removing的步驟, 07/18 22:07
→ MasonT:把好好一個發明給毀了.... :p 我信以為真, 好奇來問一下 07/18 22:08
→ MasonT:這篇是哪一家事務所辦的 07/18 22:09
→ eedavid:所以你看了一些人的回應之後，你的看法呢? 07/18 22:10
→ MasonT:不過顯然呂學士也被唬了,因為後來他說這是冠亞提供的例子.. 07/18 22:10
→ MasonT:看來是冠亞比較不專業,呂學士誤信,而把他編入教材, 07/18 22:12
→ MasonT:以呂學士在學術界的知名度,我看還是請他學生轉告他比較適合 07/18 22:12
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作者: MicroOptics (啦) 看板: Patent
標題: Re: [閒聊] 有誰知道這件專利案件是哪家事務所辦的 …
時間: Sat Jul 19 09:21:43 2008
贊成這篇原PO的看法
其實也滿合理的 利用nitride較密實的特性來阻擋B亂跑
其實這個案子 就讓我想到以前我當IHPE和跨領域的困難
首先 如果是我寫這個案子
我會把3)4)合併為 forming a interfacelayer .......
製造界面的技術很多種 這樣寫等於讓人很好迴避
再來
很多技術人往往把法律文字當技術文章再審
TIPO有外審 公司有自以為是的RD 學校有聽了幾堂專利課就胡上專利課程的老師
然後把專利搞的亂七八糟 然後教出來的學生和老師 觀念錯的一踏胡途
還不能說 所以有些人說在學校上過很多專利課 事務所寧可要一張白紙
就像黃茂榮老師說的 要慎選老師 要把垃圾掃出來比掃垃圾進去還難
呂老師的課是大補完 但上過課的我同學 都認為我說的是錯的 寧可不上
這些人進入研發公司 只能說IHPE就很可憐了 說不得的 因為IHPE地位低
只能寫一些自己都很難過的東西 運氣不好 還被拿出來公審
當大家都在說跨領域時 根本就是屁 只要你頂著光環就對了
其實蔡院長的課 也是很好笑 很多專利法並不是法學的法展
是研發的必然 兩者混為一談 但是也是一家之言
真正跨領域沒光環的人 為了飯碗 只能忍氣吞聲
最後
還有一個迷思 科技人常說我覺得寫錯了云云
法律人是法官或陪審團說了算
這個案子打官司 你就看兩群律師拿了大字典爭論remove這個字的意思
如果真如M大所云 呂老師在課堂上就否定了remove 我只能說
連美國的法官在markman之前都不敢說的 呂老師能一言就斷定
真的是年輕人 要早唸博士 然後出人頭地 不要在專利界奮鬥 沒前途的
※ 引述《lightnsalt ("▔﹁▔)》之銘言：
: ※ 引述《MasonT (MasonT)》之銘言：
: : 標題: [閒聊] 有誰知道這件專利案件是哪家事務所辦的嗎???
: : 時間: Thu Jul 17 23:54:44 2008
: : 這兩天上課時拿到的資料,
: : United States Patent 5,567,638
: : Lin, et al. October 22, 1996
: : 交大雷添福教授實驗室的成果, 由國科會出前申請,
: : Method for suppressing boron penetration in PMOS
: : with nitridized polysilicon gate
: : 結果唯一的獨立項變成
: : 4) removing a layer of nitridized silicon which is generated by said
: : nitridizing step 3) on said at least one first polysilicon layer;
: : 多了一個 4) removing a layer of nitridized silicon ... 結果這項專利自己把
: : 最重要的步驟拿掉了, 所揭露的技術直接成為全人類共同擁有的技術.
: : 有人知道這件案子的台灣事務所是哪一間?
: : 是美國代理人那邊惡作劇? 還是台灣的事務所的問題?
: : → MasonT:這是呂學士教授上課的資料,原來是呂學士教授不懂技術... 07/18 10:08
: : → MasonT:最好樓上兩位比呂學士還要懂啦, 呵呵... 07/18 10:09
: : → MasonT:我沒嗆聲,只是根據上面兩位所言,推論呂學士不懂技術..:p 07/18 10:30
: : → pasica:M兄是否要詳讀此篇美國專利以及台灣專利的實施例後，再提出 07/18 10:40
: : → pasica:而且如果M兄認為removing是錯的，是否可基於技術角度討論? 07/18 10:52
: 讀書讀久了，養成了考據的壞習慣。
: 專利文字方面：
: 本項專利文字敘述可以從http://www.freepatentsonline.com/5567638.html
: 查到。
: 在summary of the invention 中：
: Between step3) and 4), a step of removing a layer of nitridized
: silicon which is generated by the nitridizing step 3) on the
: at least one first polysilicon layer with diluted HF
: is further included.
: 本項專利的根據論文：
: YH Lin, CS Lai, CL Lee, TF Lei and TS Chao,
: "Nitridization of the Stacked Poly-Si Gate to Suppress the Boron
: Peneration in pMOS",
: IEEE Trans on Electron Devices, Vol 43, No 7, July, 1996
: 其中II.Experimental:
: .....a low pressure (120 mTorr) nitridation in NH3 at
: 900 “C for 80 min was performed between poly I and poly
: I1 for the sample “PHPP’ or between poly I1 and poly I11 for
: the sample “PPHP’. The nitridized silicon films were soaked
: in diluted HF (HF/H2O = 1/50) before the following poly-Si
: layer deposition.
: .......
: 技術方面：
: 1. HF(concentrated or diluted) 可蝕刻 LPCVD nitride。
: 2. 本論文之nitridize polysilicon指的應該是nitrogen-rich的polysilicon
: 而LPCVD nitride步驟是用以提高其下polysilicon 的nitrogen含量。
: 且 LPCVD nitride為絕緣體，若存在此層而未移除，上層polysilicon與下層
: polysilicon間無導通，電晶體應該無法作用（個人猜測）
: 3. 另
: a） T. Kuroi, S. Kusunoki, M Shirahata, Y Okumura, M Kobayashi,
: M Inuishi and N Tsuouchi, "The effects of nitrogen implantation into
: P+ poly-silicon gate on gate oxide properties", Symp on VLSI Technology,
: 1994
: b) TS Chao, MC Liaw, CH Chu, CY Chang, CH Chien, CP Hao and TF Lei,
: "Mechanism of nitrogen coimplant for supressing boron peneration
: in p+-polycrystalline silicon gate of p metal-oxide semiconductor
: field effect transistor", Appl Phys Lett, 69(12), September 1996
: 這兩篇論文都是以離子佈值方式提高nitrogen原子在boron-doped poly-Si
: gate的濃度，進而達到抑制boron diffusion的效果。
: 與本篇以LPCVD nitride sacrificial layer方式有異曲同工之處。
: 所以我認為該專利並沒有寫錯。
: 歡迎討論。
--
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◆ From: 140.112.5.24
推 colinh:推這篇 公司內的RD甚至在申請專利後也開始要來教專利 07/19 09:56
→ demonhom: ╮(￣▽￣")╭ 評：華而不實 07/19 10:08
推 MasonT:臨走前一推, 整個生態就是這樣, 連搞圖資的都進來了 07/19 16:58
→ MasonT:看看政大智財/台大圖資的那票人搞得就很好笑,也搞了不少錢 07/19 17:00
→ MasonT:我在政大上課時,居然連會計系的教授也進來了,純搞笑.. 07/19 17:02
→ MasonT:搞到最後,上頭一大堆都是專家學者,寫稿的PE最可憐... 07/19 17:03
→ MasonT:然後一大堆沒有寫過稿子的來批評事務所/PE不專業, 呵呵.. 07/19 17:04
→ Yojimbo:關於會計部分要說明一下 一般自行研發成果含專利都是費用 07/20 12:54
→ Yojimbo:就是因為會計上不計入資產 所以企業辛苦研發、PE寫專利 07/20 12:54
→ Yojimbo:最後股東只會看到花很多錢 如果要入帳 就必須讓會計進來 07/20 12:56
→ Yojimbo:也因為國內會計對這一塊越來越了解 所以前陣子才有34公報 07/20 12:56
→ Yojimbo:而且34號公報對很多企業來說還是不夠的 07/20 12:58
→ Yojimbo:更 一時腦殘 是37號公報 07/20 13:03