推 Aliang:推一個！ 03/06 03:32
推 QAM:推 03/06 08:03
※ 引述《ptt99999 ()》之銘言：
恕刪
: 1. 在DRAM中Row就是X方向,而Column就是Y方向,這樣對嗎?
我剛接觸DRAM時也有這個困擾，之後在偶然間弄懂是怎麼回事。
首先你的觀念是這確的，Row 是X 方向，Col 是Y 方向，所以你
如果你對DRAM做 Y=Y+1的動作就會像你的圖示一樣：
10000
10000
10000
10000
10000
但請注意，這樣的排列情形在DRAM中稱為Row Chain ，也就是說
它們有X(Row)座標相同的關係存在；如果如你的講師所言：
11111
00000
00000
00000
00000
這時就被稱為Col Chain，因為它們有Y(Col)座標相同的關係。
所以，可能是這部份你有誤會到講師說明的地方。
如果你不放心或不確定到底是那個方向要累加，建議你以後可以向
人問說：是X-FAST(講師的例子)，還是Y-FAST(你的例子)？這樣應該就
不會弄錯了。
: 2. DRAM 中的 "Bank"有甚麼用處?
對OS而言，DRAM的長相是這樣：
0000:0000 ~ FFFF:FFFF
就是一組位址，沒有所謂的Row、Col的問題，但以晶片的角度看卻不
是如此。
這是一顆DRAM -> 可以分成若干BANK
┌─┐ ┌┬┬┬┐
└─┘ ├┼┼┼┤
└┴┴┴┘
BANK的排列要看它的設計，有些是 ABCD ，或是 ACEG ，甚至是其他
EFGH BDFH
的排列組合，這邊以第一種情形來假設一下：
如果你發現錯誤的位址是：
A000:0000, B000:0000, C000:0000, D000:0000
你就可以知道這顆晶片大約是上半部故障，相同的如果是：
E000:0000, F000:0000, G000:0000, H000:0000 (16進制無G,H ，此舉例說明)
那晶片就大約故障在下半部；但如果是相同的位址，卻用第二種BANK的排列
方式來解讀，就會變成左或右半邊故障了。
BANK的排列方式，和晶片設計的電路、目的或規格有關，這不是可以簡
單說明，而且我也不清楚，但主要還是要把OS中一維的線性位址轉換成晶片
上不同的群組罷了，解釋成類似幾何上的「象限」或「掛限」或許會比較好
理解。
一點經驗分享，希望對你有幫助，有錯也請不吝指教。
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