推 loloman:3D IC誰能用數字舉例倒底有多unprecedented 04/29 01:57
推 iammc:台GG也不錯啊,地表上最強的代工公司.. 04/29 02:06
→ iammc:3D IC根本就是finfet的加強版,都沒介紹怎麼做出來的 04/29 02:06
我也很好奇intel 3DIC應該是HKMG? flow怎麼做還真的有點難想像....
如果是hi-k oxide要長在側面 應該更難控制?
推 brandyjohn:級數差太多 04/29 02:07
推 dakkk:3D ic 有很多論文了 這也表示製程縮小將不再是技術指標 04/29 02:08
推 iammc:需要知道intel是用哪些設備跟機台做出這東西 04/29 02:09
※ 編輯: ljsnonocat2 來自: 115.43.208.145 (04/29 02:12)
→ dakkk:看過一些論文是在晶圓上lay一些對準的表尺之類的 04/29 02:12
→ wch6858:(簡體慎入) 04/29 02:24
樓樓上有人提到Intel的3D IC就是好幾年以前paper裡面所謂的FinFET
跟堆疊的3D又不一樣
一個是元件上的3D 一個是die把它堆成3D 比較偏向封裝技術
過去電腦cpu dram gpu chipset 都是靠主機板連在一起
未來搞不好疊疊樂 就只封成一顆ic.... 不過可能得先解決散熱問題吧XD
※ 編輯: ljsnonocat2 來自: 115.43.208.145 (04/29 02:40)
推 mmonkeyboyy:上次還有人跟我說不一樣呢~~~~XD 04/29 03:30
推 cpt:finfet, tri-gate, 3D transistor... 骨子裡是一樣的東西 04/29 07:41
→ cpt:但別跟 3d ic packaging 混淆了.. 04/29 07:41
推 mmonkeyboyy:沒錯 樓上正確 只是還是有人搞不懂 XD 04/29 08:03
→ mmonkeyboyy:一般分 device level die velep package level三種 04/29 08:04
→ mmonkeyboyy:這些講的才是真正的3D 但說下去就遠了 04/29 08:05
→ mmonkeyboyy:最新的3D? IBM說跟 3M要合作 ..反正也不知道要做什麼 04/29 08:06
→ mmonkeyboyy:做導電膠吧.... 04/29 08:06
噓 Jpen:如果是hi-k oxide要長在側面 應該更難控制?... 04/29 09:08
→ Jpen:RMG都做多久了還在問這種問題 04/29 09:10
→ Jpen:業界收太多米蟲了 04/29 09:11
推 loloman:果然一些奇奇怪怪的技術文件大陸真的比較好找 04/29 09:51