2018年半導體資本支出預測首次超過1000億美元
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IC Insights預測今年(2018)半導體的全年支出成長預測從8％上調至14％，同時代表著資
本支出首次突破1000億美元。全球2018年資本支出預測數字比2016年兩年前的支出高出53
％。
儘管，三星表示今年還未公布全年的資本支出預測，但它確實表示2018年半導體資本支出
相比2017年將花費“更少”些，2017年約242億美元。但是截至1Q18，其資本支出為67.2
億美元，略高於前三季的平均。這個數字幾乎是公司兩年前1Q16花費的4倍! 過去四個季
度，三星為其半導體集團斥資266億美元的資本支出。
IC Insights預測今年三星半導體集團資本支出將達到200億美元，比2017年減少42億美元
。不過鑒於今年的開支開始強勁，目前看來該預測仍存在更大的下降趨勢。
由於DRAM和NAND快閃記憶體市場仍然非常強勁，SK海力士(SK Hynix)今年的資本支出預計
將增至115億美元，比2017年的81億美元成長42％。SK海力士今年增加的支出將主要集中
在線上的兩個大型記憶體廠M15，一家位於韓國清州的3D NAND快閃記憶體製造廠，以及其
在中國無錫擴建的大型DRAM工廠。清州工廠在今年年底前開放。無錫晶圓廠也計劃在今年
年底前開放，比原計劃的2019年初，早幾個月。
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