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http://chinese.joins.com/big5/article.do?method=detail&art_id=146663 三星電子量產速度提高7倍的DRAM 孫海容 記者 2016.01.20 14:04 超高速DRAM使三星電子的半導體技術進一步得到進化。三星電子1月19日宣布正式開始比現 在的DRAM提速7倍的第二代“4GB HBM2 DRAM ”。   DRAM是協助計算機的大腦CPU在進行演算時寫入和抹除數據的設備,DRAM的數據處理速度 越高,電腦的性能也會得到相應提高。 三星電子計劃通過量產4GB HBM2應對高性能計算(HPC)、高性能顯卡等信息技術(IT) 設備的需求。   三星電子消息稱,這一新產品使用了在DRAM芯片上打穿5000多個小孔進行上下連接的硅通 孔(TSV)技術,與以往利用金線連接上下層的方式相比,數據通道更多,可以提高處理 速度。4GB HBM DRAM每秒可傳輸256GB信息,比同屬4GB級別的GDDR5處理數據的速度快7倍 。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 111.240.153.66 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1453390931.A.D65.html
linussp: 有點強 01/21 23:52
s992649: 華邦 美光 GG 01/21 23:58
sasako: 美光 intel 的Xpoint 號稱快NAND FLASH1000倍 三星恐怕是 01/22 00:05
soi1dsnake: 華邦還有在做Dram? 01/22 00:06
sasako: 凶多吉少 而且擁有NAND FLASH沒有的優點 01/22 00:06
sasako: 今年Q3聽說就會上市... 01/22 00:07
q169: 華邦有些dram都找天后宮代工了.....標準,利基型有差 01/22 00:23
asin404: 樓下台灣文青表示:台灣早就有了 韓國三星是copy cat 只 01/22 00:42
asin404: 靠寫手誇大他的技術 01/22 00:42
Jacoby: 完全不同的東西啦!三星是GDDR, Intel的是storage 01/22 00:57
mmonkeyboyy: xpoint有壽命上限啦 用在ram速度要跟上外 次數也是 01/22 06:39
mmonkeyboyy: 一個問題啦 01/22 06:39
mmonkeyboyy: 三星這個跟HMC還比較像哩 總之就是pin多了 01/22 06:40
maypcc: 拿nand和ddr來比,就知道是門外漢 01/22 07:37
mmonkeyboyy: 也不算完全門外漢 實情就是 有很多人在考慮兩者合用 01/22 08:23
mmonkeyboyy: 的可能性了 尤其是一些 mobile應用上 01/22 08:23
VirgilAeneid: dram複寫的頻率高的嚇人,flash當dram用沒多久就掛了 01/22 08:51
VirgilAeneid: 更不用說速度也慢上一截. 01/22 08:52
dakkk: 當然會有架構呀 前面回檔dram 比較後不同的才會寫入 有看過 01/22 09:03
dakkk: 這種paper 01/22 09:03
dakkk: 還有就是雙ram dram休眠時寫入 flash 說別人不懂 自己又董 01/22 09:05
dakkk: 多少 01/22 09:05
SigmaLIU: 感覺挺威的 01/22 09:48
tmr159: 揮發性與非揮發性用途不同,不用拿來比吧… 01/22 13:44
maypcc: 就像拿ramdisk和hardisk來比一樣無腦 01/22 16:00
willism: 台灣唯一夠格的dram產業已經賣掉了,剩下都雜魚 01/22 20:47