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http://big5.yonhapnews.co.kr:83/gate/big5/chinese.yonhapnews.co.kr/techscience/ 2009/02/04/8400000000ACK20090204002100881.HTML 2009/02/04 14:07 KST 三星電子在全球率先開發40奈米D內存 韓聯社首爾2月4日電 三星電子4日表示,採用40奈米(1奈米=10億分之1米)製作工藝, 在全球率先開發出DDR2 D內存。 三星電子2005年在全球率先推出60奈米D內存後,又于2006年和今年分別率先推出50奈米 和40奈米D內存。 此次開發的40奈米DDR2 D內存,去年12月在D內存供應商中首次接受了英特爾的單種產品 採用評估。此外,三星電子開發的1GB DDR2 SODIMM(用於筆記本電腦等小型電腦的存儲 模組)也於今年1月接受產品採用評估。 三星電子計劃利用40奈米1GB DDR2 D內存開發技術,在年底前開發40奈米2GB DDR3產品, 並投入量產。 三星電子負責人表示,2006年開發50奈米產品到2008年的量產經歷了兩年時間,但為了積 極開拓市場,此次將製作工藝更加精密的40奈米新產品的量產時間縮短了一年以上。(完 ) -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 218.166.213.31
luckyman186:所以更要有自主技術 02/05 15:04
kyomo:D內存...好不習慣的翻譯名... 02/05 16:02
xzcvb:D內存=DRAM 嗎 02/05 19:36