作者pf775 (pf775)
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標題三星電子在全球率先開發40奈米D內存
時間Thu Feb 5 14:51:55 2009
http://big5.yonhapnews.co.kr:83/gate/big5/chinese.yonhapnews.co.kr/techscience/
2009/02/04/8400000000ACK20090204002100881.HTML
2009/02/04 14:07 KST
三星電子在全球率先開發40奈米D內存
韓聯社首爾2月4日電 三星電子4日表示,採用40奈米(1奈米=10億分之1米)製作工藝,
在全球率先開發出DDR2 D內存。
三星電子2005年在全球率先推出60奈米D內存後,又于2006年和今年分別率先推出50奈米
和40奈米D內存。
此次開發的40奈米DDR2 D內存,去年12月在D內存供應商中首次接受了英特爾的單種產品
採用評估。此外,三星電子開發的1GB DDR2 SODIMM(用於筆記本電腦等小型電腦的存儲
模組)也於今年1月接受產品採用評估。
三星電子計劃利用40奈米1GB DDR2 D內存開發技術,在年底前開發40奈米2GB DDR3產品,
並投入量產。
三星電子負責人表示,2006年開發50奈米產品到2008年的量產經歷了兩年時間,但為了積
極開拓市場,此次將製作工藝更加精密的40奈米新產品的量產時間縮短了一年以上。(完
)
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◆ From: 218.166.213.31
推 luckyman186:所以更要有自主技術 02/05 15:04
推 kyomo:D內存...好不習慣的翻譯名... 02/05 16:02
推 xzcvb:D內存=DRAM 嗎 02/05 19:36