推 thoms:感謝分享! 04/27 01:51
推 l92873:嗯…雖然離開這領域，但仍然上了一課 04/27 05:53
(二-2)
根據Moore's law,每18個月單位面積上的電晶體數目要倍增,所以每一個世代的製
程評估,大部分的情況下會先將前一個世代的光罩pitch (line + space)乘以0.7後
run一次看有哪些可能的問題.這裡指的並不是全部run完,而是評估黃光的部分那
些pitch可以做,哪些不行.可能要更換光阻,或是導入新的製程.對黃光而言,更換
光阻是較常見的做法,但是一但決定更換,黃光就要跟OPC (optical process
correction)合作評估一系列的pitch來得到電腦模擬光阻model所需要的參數.
OPC是photo內很重要的一環,仰賴其電腦的模擬來對光罩上的pattern作修正以得
到較佳的曝光結果 (較好的pattern長像或是製程window,也就是容忍犯錯的空間).
若是新的光阻與OPC無法得到需要的結果,就會跟designer協調更動layout的可能,
這樣就不需要用到process window不足的pitch.此處我們會制定所謂的rule,也就
是規定哪些長像的pattern或是pitch由於window不足不准畫,所以當rule制定越多,
代表對designer越不friendly,也就越不適於代工.所以photo的主要工作就是如何將
rule減少而又有一定的process window.
當上述都確定好了後,就會開始處理defect的問題 (此處要聲明,中間在評估的過程
都會看defect, 只是這裡是利用前一個世代的光罩或是單一pattern的光罩來看).
所以在這裡會有針對這個世代的光罩layout來看defect.可以把defect定義為一切
可能會影響良率的東西都叫defect.譬如說,在曝完光後可能會有未去除乾淨的
particle,或是水漬,或是未曝開的pattern,又或是被顯影液沖倒的pattern.
在此處,知道現在在處理的光罩的type與layout有助於解defect.譬如說,對metal而言
是少部分的光阻被曝開,所以光阻在wafer上有大部分,所以可以用較大的轉速或顯影液
與水的流量把defect沖掉或甩出去.但是對oxide layer而言,大部分的地方是被曝開
的,所以這樣子的recipe就會有部分的pattern倒塌的可能.所以一般是先針對各個
不同的layer有optimized過的顯影recipe,然後再以相似的layer type對recipe作
align,越少的recipe數量越有助於Fab的維護.
總結而言,這部分的工作就是調整出恰當的比例.在layout的部分,先找出全部的pitch
的window,針對弱點處以光阻,OPC,pattern的長像與距離等去optimize,對於無法做到
的部分訂出rule去避免designer使用.而在defect的部分,去調整顯影液,水,顯影
過程的時間與轉速等等去optimize顯影recipe的每一個step以得到最少的defect
count.
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