推 ricyear:可惜 在 FAB 常常 wafer 不夠要 rework N 次.... 04/29 21:53
(六) photo中所謂的know-how
所謂know-how,簡單地說,就是如何利用手中或是Fab內已有的工具來解決問題的能力.
礙於security,這裡只介紹boundary limit, AIO (all in one), 惡化實驗.
(六-1)
先談boundary limit的概念.很多時候,photo需要收resist model或是process window.
這兩者都需要收集大量的pitch (line + space)與pattern資料來確定各別的window與
weak point.許多photo會仰賴於design gauge,利用光罩的GDS寫下CD-SEM的recipe
並讓其自動收資料,這種做法的缺點是動輒要收數千到萬筆的資料,而且若是困難的
pattern又需要在伺服器前補點 (相信許多photo都很痛恨這點,常常捕到想睡覺,又
有schedule壓力),所以這時候善用boundary的概念有助於改善此點.一般個人習慣會
對此光罩一次曝三片wafer,第一片拿來找boundary,第二片拿來收資料,第三片拿來補沒量
到的資料或是double check有問題的pitch.再找boundary時,可以先找target pitch的
CD (critical dimension),並在撒開energy-focus的die找一下到哪些die即是window
所在.接下來每隔一定的pitch就找一下上下限的boundary die的位置.所以全部的
pitch要收的die的位置就確定了.這樣子就不需要像disign gauge一樣,不但量測
較慢,而且又會因為量全部的die而點數過多.一般CD-SEM一個小時量350-400點,
若是用design gauge建recipe,會變一個小時量250-300點,老是讓自己點數過多
而把整個CD-SEM的時間簽下來,會讓你的同事怨恨你的.而且硬碟空間也不夠,一直
要求別人把他的量測資料刪除的人也很討厭.
有些情形下,也會遇到雖然光罩沒有該pitch或是CD,但是老闆要你確定其window的情形.
打個比方,現在要量個CD是X1,pitch是X2,但是光罩沒有X2,那photo就可以找光罩上
最接近X2的pitch,一個較大,另一個較小,然後都曝到CD為X1,收其兩個pitch的window,
就可以訂出pitch=X2的時候的大概window.反之,如果現在有pitch=X2,但是光罩沒有
開足夠的寬度使得在Eop (optical energy)條件下沒有CD=X1,那就利用強迫曝更大
Energy的情況下將CD撐到X1,而這時候量出來的window就是lower boundary,因為
是在較為惡劣的情況下得到的window.
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