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※ 引述《ooo2 (聯電介紹人...!!)》之銘言: ※ 引述《nodachiaki (期待交響SP)》之銘言: : ※ 引述《chimori (......)》之銘言: : : 黃光區的照明跟其他區不一樣, 因為是要濾掉紫外光, : : 目前是以 KrF Laser打出來的248nm深紫外光 或者 ArF Laser打出來 : : 的193nm深紫外光當光源(i-line stepper就不講了), : : 而光阻液在Track端coating時, 若有紫外光穿透透明cover影響到光阻, : : 則曝出來的wafer會挫賽...= = : : 至於光源的波長, 波長越低能量越高, 所以為了減短曝光時間增加throughput : : 會以更短波長的光來當光源, 所以目前70nm製程技術用193nm波長的深紫外光 .. : : 話說, 前年本公司將機台抵押給某大銀行來借錢, 因此銀行團人員進Fab拍 : : 做產權轉移, 但倒楣的是----銀行人員不懂半導體製程, 拿該死的照相機 : : 開閃光燈往正在run貨的Track機台一照, 掯......... : : 害得設備工程師追一堆Lot回來rework... : 想問一下~~~閃光燈是什麼光源呢!!如果他不是紫外光!! : 何需要REWORK?? : 會讓膚色變黑的是紫外光~所以黃光應該不至於讓膚色變黑吧!! : 出現黑眼圈應該是工作後壓力大睡眠不足吧!!!! 看到大家的回覆,有點心悸.... 不曉得是不是某些DRAM廠的教育訓練做的不夠 ^_^||| 1.黃光區使用短波長的光源不是為了throughput 是為了更好的解析度,也就是能曝出更細的線寬! 真的去看做70nm的曝光程式,會發現它的能量(J)很低。 2.DUV(深紫外光)是白光(全頻光)的一部份,不濾掉會造成光阻的質變, 現主流的正光阻的鍵結會不一樣,造成真正曝光時的不穩定, 影響最後的成像品質!而發生問題的不只是在Track,還包括光阻及 晶片運送等環節,否則只要機台附近用黃光就好了! 3.機台的光源波長由G-line(435nm).H-line(405nm).I-line(365nm)到 KrF(248nm).ArF(193nm)準分子雷射都是在機台內部用FILTER過濾或 附屬機台形成,也不太容許外洩! PS: 好像有點離題,職業命.....^_* -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.116.142.11
yeahbo:ArF是193nm 02/03 16:08
※ 編輯: chwu246 來自: 140.116.142.11 (02/03 16:21)
kf072205:敢問這位強者大大,貴公司有缺人嗎? 02/03 22:01
ihvgogo:曝光程式? 聽起來怪怪的... 02/05 05:46