推 obov:說到LNA 是不是沒有人在用neutralization cap阿? 07/05 10:44
> -------------------------------------------------------------------------- <
作者: sexyman (現在新歌沒好聽的) 看板: comm_and_RF
標題: Re: [問題] 請問有關低雜訊放大器的問題??
時間: Wed Jul 5 00:37:46 2006
※ 引述《davison (davison)》之銘言：
: ㄧ般LNA衰減電感的架構中，會再串疊ㄧ顆電晶體來增加隔離度，但是在下有些
: 疑惑:
: 1.多串疊一顆電晶體，照理來說等於多加了一個雜訊源，但是為什麼對於
: 整體的noise figure影響不是很大呢?
: 2.多串疊的那顆電晶體，可以增加增益，但是增加的原因是因為串疊
: 的那級是類似一個共閘極放大器，使電路變成兩級放大器，還是因為串
: 疊那顆電晶體使的原本負載增加至使增益增加??
: 3.延續第二個問題，那串疊的那顆電晶體要工作在哪一區呢
1. 你可以仔細地算, 算出來的結果, 就會不太會對 NF 有影響; 另一個看法
就是將 common source 及 common gate 的電晶體視為兩級放大
第一級的 CS 會有一個 gain 及一個 NF, 第二級的 CG 也有一個 gain 及 NF
根據低雜訊的放大器的理論, 多級電路的 NF, 若第一級gain 夠大，則整體的 NF
便由第一級的 NF 所主宰, 接下來數級的 NF 效應都要除以前級的增益才累加。
2. 兩種現象都存在，因為 CG 對 CS 的負載不同，而且又有增益
3. 你覺得，如果元件要有放大的效應，應該在那一區? 只有一個區吧!
--
One is often told that it is a very wrong thing to attack religion.
So I am told;
I have not noticed it.
-Bertrand Russell
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 59.112.8.191
推 ihlin:2(補充). 除去CS級Cgd造成的miller效應 07/05 06:16