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一般的Gilbert Mixer都是RF Stage當驅動放大級,LO Stage當開關級用, 所以RF Stage的電晶體都要偏壓在飽和區,LO Stage的電晶體偏壓 要接近三極體區附近。 但是最近發現有些Mixer的RF Stage反而是偏壓在三極體區,LO Stage偏壓 在飽和區,這樣偏壓的話Mixer是否還會有Conversion Gain?(因為Mixer沒 有驅動放大級了)還有這樣子的偏壓方式,整個Mixer的混波原理就不像傳統 的Gilbert Mixer了,真的是蠻特別的,所以想請教各位有經驗的前輩,謝謝! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 218.169.157.53
pow:may I ask.... 152.14.55.70 12/16 01:59
pow:how do you define conversion gain? 152.14.55.70 12/16 01:59
ihlin:哪篇paper這樣做? 70.141.220.11 12/16 09:28
panshinan:conversion gain 可以在安捷倫的MIXER講 140.111.79.32 12/19 14:57
panshinan:義中找到 140.111.79.32 12/19 14:58
> -------------------------------------------------------------------------- < 作者: ihlin () 看板: comm_and_RF 標題: Re: [問題] Gilbert Mixer的偏壓型式 時間: Sun Dec 17 04:35:00 2006 ※ 引述《davison (davison)》之銘言: : 一般的Gilbert Mixer都是RF Stage當驅動放大級,LO Stage當開關級用, : 所以RF Stage的電晶體都要偏壓在飽和區,LO Stage的電晶體偏壓 : 要接近三極體區附近。 : 但是最近發現有些Mixer的RF Stage反而是偏壓在三極體區,LO Stage偏壓 : 在飽和區,這樣偏壓的話Mixer是否還會有Conversion Gain?(因為Mixer沒 : 有驅動放大級了)還有這樣子的偏壓方式,整個Mixer的混波原理就不像傳統 : 的Gilbert Mixer了,真的是蠻特別的,所以想請教各位有經驗的前輩,謝謝! 我沒什麼經驗,不過我也覺得很特別, 如果你的input device偏壓在Tiode region的話, linearity會變得很差,IIP3也好不到哪去。 Tiode Region的commom-source MOS也可能有gain, 看你的load和current怎麼設, 要把偏壓在saturation的mos變成attenuator也可以。 一般而言Front-end的IIP3瓶頸在Mixer,如果你的channel selector很猛, 系統的NF要求又很寬鬆, 而且也不是multi-tone/carrier的modulation(PAR=0!?)的話, 的確有可能用個線性度不高的mixer 有些增加Mixer IIP3的paper裡會有偏壓在Tiode region的輔助電晶體, 主要電晶體還是在saturation mode,我懷疑你可能看到的是那些。 還有,我以為所謂的「傳統的」Gilbert Mixer 是 BJT的那個 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 70.141.220.11