推 GOGOLINE:頻率不同 使用不同~140.123.111.124 03/17 12:38
推 hopeangel:一個數位...一個類比...不能混用吧!140.123.111.116 03/17 14:10
> -------------------------------------------------------------------------- <
作者: wildwolf (可愛的哲哲) 看板: comm_and_RF
標題: Re: [問題] TSMC 0.18um CMOS 與 RF CMOS的差異
時間: Tue Mar 18 09:22:04 2008
※ 引述《davison (davison)》之銘言：
: CIC提供的台積電0.18um RF CMOS製程,有RF CMOS 製程以及Digital CMOS 製程兩種,
: 印象中RF CMOS製程在ADS的模型已經有考慮佈局的雜散效應,Digital CMOS製程因為沒
: 有直接對應的佈局元件,所以ADS的模型是沒有考慮佈局的雜散效應(有誤請指正^^!),
: 除了上述的差異外,想請教各位大大,RF CMOS 製程以及Digital CMOS 製程還有哪些地
: 方不同?另外,如果在ADS使用Digital CMOS模型設計射頻電路,最後可能會發生什麼問
: 題?
我想舉個例子來說明，你可能比較容易了解。
以聯電 90nm 製程為例，他的 Logic/Mixed-Mode Process 裡面包含很多 device，
例如有 SP_RVT, SP_HVT, LL_RVT 這三個常用的 device，
這些 device 他們有對應的 SPICE model for 一般 logic/mixed-mode 設計使用。
另外他們還有 LL_RF device 用於 RF 電路設計，同樣也有其對應的 RF model。
但是事實上， LL_RF 這個 device 並不是一個新的 device，他是從 LL_RVT device
經過下線量測後，建立等效的 RF model。因此另外取一個名稱叫 LL_RF。
因為在 RF 應用時， Device 本身的寄生效應必須被考慮(例如gate的電阻)，
但是其實還有很多RF應用上發生的效應，並沒有完整的被建入 SPICE BSIM
model 中。所以 equation-based 的 model 並不能完整的解釋電路真正的特性，
因此目前大多的 RF model 還是屬於查表法的 model，當使用這個 RF device
時，必須按照當初晶圓廠下線的方式，使用一模一樣的 layout，才能保證與
晶圓廠提供的 RF model 的行為類似。
因此你前面提到， ADS 的 RF Model 包含有Device本身的寄生效應，是對的。
一般 Logic model 的應用範圍並非沒有考慮這些寄生效應，這些都在 SPICE
BSIM model 中，只是當應用到 RF 應用時， model 會出現偏差，需要修正。
因此當初在 0.25um 時， Atheros 就是使用 digital 製程來製作 5GHz 的
802.11a RF circuit。數位製程並非不能拿來做 RF 應用，只是你得要自己解決
RF model 建立的問題。所以重點是，你有沒有一個是經過多次下線驗證過的 RF
model，而不是你是不是用 digital 製程來做 RF。
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.113.212.31
推 pprhuang:好球 推~ 118.165.47.24 03/18 13:14
> -------------------------------------------------------------------------- <
作者: cpt (Obstacle 1) 看板: comm_and_RF
標題: Re: [問題] TSMC 0.18um CMOS 與 RF CMOS的差異
時間: Tue Mar 18 12:41:49 2008
※ 引述《wildwolf (可愛的哲哲)》之銘言：
: ※ 引述《davison (davison)》之銘言：
: : CIC提供的台積電0.18um RF CMOS製程,有RF CMOS 製程以及Digital CMOS 製程兩種,
: : 印象中RF CMOS製程在ADS的模型已經有考慮佈局的雜散效應,Digital CMOS製程因為沒
: : 有直接對應的佈局元件,所以ADS的模型是沒有考慮佈局的雜散效應(有誤請指正^^!),
: : 除了上述的差異外,想請教各位大大,RF CMOS 製程以及Digital CMOS 製程還有哪些地
: : 方不同?另外,如果在ADS使用Digital CMOS模型設計射頻電路,最後可能會發生什麼問
: : 題?
: 我想舉個例子來說明，你可能比較容易了解。
: 以聯電 90nm 製程為例，他的 Logic/Mixed-Mode Process 裡面包含很多 device，
: 例如有 SP_RVT, SP_HVT, LL_RVT 這三個常用的 device，
: 這些 device 他們有對應的 SPICE model for 一般 logic/mixed-mode 設計使用。
: 另外他們還有 LL_RF device 用於 RF 電路設計，同樣也有其對應的 RF model。
: 但是事實上， LL_RF 這個 device 並不是一個新的 device，他是從 LL_RVT device
: 經過下線量測後，建立等效的 RF model。因此另外取一個名稱叫 LL_RF。
: 因為在 RF 應用時， Device 本身的寄生效應必須被考慮(例如gate的電阻)，
: 但是其實還有很多RF應用上發生的效應，並沒有完整的被建入 SPICE BSIM
: model 中。所以 equation-based 的 model 並不能完整的解釋電路真正的特性，
: 因此目前大多的 RF model 還是屬於查表法的 model，當使用這個 RF device
: 時，必須按照當初晶圓廠下線的方式，使用一模一樣的 layout，才能保證與
: 晶圓廠提供的 RF model 的行為類似。
: 因此你前面提到， ADS 的 RF Model 包含有Device本身的寄生效應，是對的。
: 一般 Logic model 的應用範圍並非沒有考慮這些寄生效應，這些都在 SPICE
: BSIM model 中，只是當應用到 RF 應用時， model 會出現偏差，需要修正。
: 因此當初在 0.25um 時， Atheros 就是使用 digital 製程來製作 5GHz 的
: 802.11a RF circuit。數位製程並非不能拿來做 RF 應用，只是你得要自己解決
: RF model 建立的問題。所以重點是，你有沒有一個是經過多次下線驗證過的 RF
: model，而不是你是不是用 digital 製程來做 RF。
model 的確是最大的區別
好的 RF process 會幫你把 device 測到 50GHz 以上
甚至連 interconnect 都幫你做好傳輸線 model
layout 幾乎就是把 p-cell 接起來而已
另外 RF process 通常會多一層(或多層)較厚的 top metal
不管是做傳輸線或電感, Q 都要比 pure digital 的 metal stack 要高不少
不過如果你做的是很高頻的 RF
一些 PDK 沒有 model 的東西 (pad, discontinuity..等等)
最好還是自己用 momentum 或 HFSS 建個 model 比較保險
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 128.237.252.195