[News] NV G80在高解析度之下的測試

[oijkue ()]

pconline網站針對了G80核心的顯示卡寫了一篇詳細的review

內容多達30頁,前面部份著墨於技術的探討,


至於後面實際的測試是高解析畫面為主,加上AA AF等等效果

最高畫質達到了2048x1536 4xAA 16xAF with HDR

不過令人意外的是,8800GTS的效能和8800GTX有著一段不小的差距

在高解析度開啟反鋸齒之下,只和X1950XTX在效能互有勝負的狀態下

http://www.pconline.com.cn/diy/graphics/reviews/0611/898744_26.html


另外一部分就是介紹G80的相關規格

電晶體數:68100萬左右 (G71:27800萬 R580:38400萬)

晶片製程和我之前預想的一樣,採用已經完全成熟的90nm製程

die size:目前還沒有正式的消息,不過有一張據說是未切割晶圓的照片

http://www.pconline.com.cn/diy/graphics/reviews/0611/pic/G80_chip_0003.jpg

根據以上可以發現到一片12吋晶圓能產出117個G80晶片 (假設100%良率之下)

經過公式計算,die size應該在470~475mm2左右

這個數字已經算是明顯爆表了,比R580大了將近35%

不過耗電量與發熱量只比R580高一點點,這方面算是控制的非常得當


我個人是認為G80這種規格應該是80nm製程甚至是65nm成熟後的產物

現在這個情況可以說是:用90nm生產適合65nm的東西

令人驚異的效能以及不少的發熱量,只要了解都是巨大die size所換來的

這也就不足為奇了


source:
http://www.pconline.com.cn/diy/graphics/reviews/0611/898744_1.html


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◆ From: 219.84.132.86
推 heat13:有多少人會開這麼高解析度玩GAME?
推 babynos:我的X850變成小底迪了..
推 phonelin:請問可以轉到顯卡版嗎？
推 oijkue:OK 以後要轉站內可以不用再問了
※ phonelin:轉錄至看板 VideoCard                                   11/09 08:01
推 phonelin:謝謝...
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作者: RockMachine (Conroe+965是很好的東東) 站內: hardware
標題: Re: [News] NV G80在高解析度之下的測試
時間: Thu Nov  9 01:35:01 2006

※ 引述《oijkue ()》之銘言：
: pconline網站針對了G80核心的顯示卡寫了一篇詳細的review
: 內容多達30頁,前面部份著墨於技術的探討,
: 至於後面實際的測試是高解析畫面為主,加上AA AF等等效果
: 最高畫質達到了2048x1536 4xAA 16xAF with HDR
: 不過令人意外的是,8800GTS的效能和8800GTX有著一段不小的差距
: 在高解析度開啟反鋸齒之下,只和X1950XTX在效能互有勝負的狀態下
呃……從Tex和Shader Power來計算﹐GTS大概是GTX的66%
從記憶體頻寬來計算﹐GTS大概是GTX的75%
所以看到相差三成的表現其實不用太驚訝﹐從規格上就可以猜到的

這也就意味著﹐GTS相比GTX﹐
有如當年6800(5v12p 325/350)相比6800Ultra(6v16p 400/550)一般的雞肋地位
一旦80nm成熟版或65nm版G8x出現﹐哪怕隻有4 TCP 256bit GDDR3
憑借時脈的狂飆﹐也會有很大機會趕上GTS
: http://www.pconline.com.cn/diy/graphics/reviews/0611/898744_26.html
: 另外一部分就是介紹G80的相關規格
: 電晶體數:68100萬左右 (G71:27800萬 R580:38400萬)
681M的數字包含了NVIO在裡面﹐但是即使將130nm NVIO的電晶體排除掉
（包含2 10-bit RAMDAC、2 Dual-Link DVI、HDMI 1.3、HDCP Key、VO）
──按照Die Size目測不到10*10的面積﹐往大了算﹐算是100M吧﹗
換算一下﹐90nm G80單位面積內容下的電晶體數目﹐仍要大於同是90nm的R580以及G71
或者說﹐G80電晶體的密度大了很多﹐金屬互聯層數也增加了
: 晶片製程和我之前預想的一樣,採用已經完全成熟的90nm製程
: die size:目前還沒有正式的消息,不過有一張據說是未切割晶圓的照片
: http://www.pconline.com.cn/diy/graphics/reviews/0611/pic/G80_chip_0003.jpg
: 根據以上可以發現到一片12吋晶圓能產出117個G80晶片 (假設100%良率之下)
: 經過公式計算,die size應該在470~475mm2左右
這個Die Size和一些人給出的“大約20*20”的數字差不多
: 這個數字已經算是明顯爆表了,比R580大了將近35%
: 不過耗電量與發熱量只比R580高一點點,這方面算是控制的非常得當
: 我個人是認為G80這種規格應該是80nm製程甚至是65nm成熟後的產物
: 現在這個情況可以說是:用90nm生產適合65nm的東西
同意這句話﹐G80為了搶時間發布（邏輯設計定案也是很早的事）
必須用90nm硬上一個過大的架構﹐所以才造成現在的臃腫體型以及並不充分的效能表現
（發熱控制真的已經做得很好了）
這並不是說明G8x真的高頻低能
而是在略低一些的Raw Power﹐差不多相同的實際效能表現以及架構的最佳化下
仍然能做到相近的效能功耗比以及單位面積效能

等到TSMC 65nm版本出現﹐在相同規模下﹐Die Size減1/3﹐效能增加1.5~2倍
（考慮到GDDR4、電晶體增長和時脈提升三重因素在內）
那時……
: 令人驚異的效能以及不少的發熱量,只要了解都是巨大die size所換來的
: 這也就不足為奇了
: source:
: http://www.pconline.com.cn/diy/graphics/reviews/0611/898744_1.html
對了這個測試的前半部分介紹完全是翻譯NVIDIA的PDF﹐不用看的
後面一些成績也相當可疑﹐比如3DMark03的測試
現在不但顯卡同質化﹐連顯卡的測試也同質化了……囧

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