作者oijkue ()
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標題[News] IDF Fall-2006,DDR3記憶體詳細報導
時間Wed Oct 18 09:58:01 2006
日本mycom網站寫了一篇IDF Fall-2006關於DDR3的專題報導
內容相當充實,包括各大記憶體顆粒製造廠 (三星 美光 爾必達等等)
它們目前DDR3試作品的實際圖片,也有cpu-z辨識DDR3的截圖
另外一部分是顆粒大廠美光,對於DDR3的相關技術專題報告
其中指出了,DDR3單顆粒容量將是由512Mb起跳
至於製造DDR3,所需製程最低的入門門檻是90nm (DDR2=110nm)
目前各大顆粒製造廠已經全面導入90nm製程,
因此要產出最基本的DDR3-1066問題不大
GDDR5
http://journal.mycom.co.jp/photo/articles/2006/10/17/idf1/images/Photo47l.jpg
WALL OF DIMMS
http://journal.mycom.co.jp/photo/articles/2006/10/17/idf1/images/Photo09l.jpg
DDR3-1066標準時序=7-7-7-20
http://journal.mycom.co.jp/photo/articles/2006/10/17/idf1/images/Photo21l.jpg
顆粒容量與單條模組最大容量的關係
http://journal.mycom.co.jp/photo/articles/2006/10/17/idf1/images/Photo34l.jpg
source:
http://journal.mycom.co.jp/articles/2006/10/17/idf1/
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