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發信人: csddd.bbs@bbs.ntu.edu.tw (極度自信與自戀), 看板: photography 標 題: Re: 請問Sony F717和V1的差別 發信站: 台大計中椰林風情站 (Fri Apr 11 16:51:50 2003) ==> WenChuan@kkcity.com.tw 提到: > 這樣說好了, > 如果以300萬像素來比較, > 一個是大尺寸(2/3),一個是小尺寸(1/1.8), > 1/1.8的技術要比2/3的技術高 > 每單位面積的像素越高,技術要越高。 這樣講並不完全。 我們從整體來看看,分析一下技術面的問題 (1) 整片 CCD 的尺寸愈大,就愈要克服良率(yield)愈低 的技術問題。所以,就整片CCD來看,尺寸愈大愈難製作。 這就好比台積電的8吋晶圓廠跟12吋晶圓廠的問題一樣。 (2) 在同樣單位面積的矽基板上要做出愈多的單顆CCDs 換句話說,像素密度(pixel density)愈高,理論上的確是 愈難做,但是,幸好,在目前這樣子的像素密度下,單顆CCD pixel 的製作並沒有很困難,因為它的面積還不是很小(相較於CPU等 超高度積體化之後的ULSI積體電路而言) (3) 但是,當單顆CCD pixel愈作愈小之後,每一顆元件所接收到的光量 就減少得非常快,所以相較之下,雜訊就顯得影響增加,用學術術語來講 這叫作S/N ratio (訊雜比)降低,這時候一些信號處理技巧跟電路設計 就相對地顯得重要多了。 隨便舉例比較一下, D30 跟 E885 同樣都是300萬像素,但是 D30 所用的 整片CCD尺寸較E885來得大(也就是大家口語中的 D30 的焦長轉換率較小) 所以它的信號會比 E885 的小尺寸 CCD 來得『乾淨』,畫面比較清晰 (不考慮鏡頭因素)。但是由於 D30 所採用的CCD是較大尺寸的CCD,所以 在製造時的良率本來就比較低,所以連帶著成本也就提高許多,因為D30比 E885貴那麼多有一部分的原因就是出在大尺寸CCD的成本上面。 所以,由於這個原因,才有廠商策略聯盟要開發4/3的CCD規格,不然埋頭 苦幹全傳統底片尺寸的大面積CCD,一來成本降不太下來,二來與業餘市場 的需求不見得一致。 > -------------------------------------------------------------------------- < 發信人: Hao.bbs@aug.csie.ntu.edu.tw (目睭扒乎金啊!), 看板: photography 標 題: Re: 請問Sony F717和V1的差別 發信站: AquaPhoto (Sun Apr 13 19:17:41 2003) 轉信站: NCKU!ccnews.ncku!news.ccns.ncku!news.civil.ncku!news.ntust!spring!news ※ 引述《csddd.bbs@bbs.ntu.edu.tw (極度自信與自戀)》之銘言: : ==> WenChuan@kkcity.com.tw 提到: : > 這樣說好了, : > 如果以300萬像素來比較, : > 一個是大尺寸(2/3),一個是小尺寸(1/1.8), : > 1/1.8的技術要比2/3的技術高 : > 每單位面積的像素越高,技術要越高。 : 這樣講並不完全。 : 我們從整體來看看,分析一下技術面的問題 : (1) 整片 CCD 的尺寸愈大,就愈要克服良率(yield)愈低 基本上是沒錯低 : 的技術問題。所以,就整片CCD來看,尺寸愈大愈難製作。 : 這就好比台積電的8吋晶圓廠跟12吋晶圓廠的問題一樣。 這個類比真是蠻不倫不類... 晶片大小(chip size)與晶圓大小(wafer size) 完全是兩回事。 小尺寸晶片可以拿到大尺寸晶圓run,OK。 大尺寸晶片可以拿到小尺寸晶圓run也OK,只要它不要超過shot size limit. 而"大尺吋晶片"會遇到的問題,與"大尺吋晶圓"的問題 是幾乎可以完全切開談的完全不同類的問題! : (2) 在同樣單位面積的矽基板上要做出愈多的單顆CCDs : 換句話說,像素密度(pixel density)愈高,理論上的確是 : 愈難做,但是,幸好,在目前這樣子的像素密度下,單顆CCD pixel : 的製作並沒有很困難,因為它的面積還不是很小(相較於CPU等 : 超高度積體化之後的ULSI積體電路而言) 基本上是沒錯低 現有消費級CCD pixel間距約3um上下, 所用到的製程不過0.5um到0.8um這個範圍。與CPU/ DRAM/ Flash等等 不可同日而語。 所以,前面另一個網友(忘了id了), 建議您不要再用CPU等一般半導體產品的邏輯來想像了好嗎。 : (3) 但是,當單顆CCD pixel愈作愈小之後,每一顆元件所接收到的光量 : 就減少得非常快,所以相較之下,雜訊就顯得影響增加,用學術術語來講 : 這叫作S/N ratio (訊雜比)降低,這時候一些信號處理技巧跟電路設計 : 就相對地顯得重要多了。 感光晶片溫度上升個攝氏5度 多高明的訊號處理、電路設計的效果恐怕都被淹沒了! 最有效的做法是:限制user可以使用的感度上限。(只不過這樣做user會很幹, 老是有太長的快門,造成手持拍攝的晃動) 那些神奇的降noise的運算法,能有效到啥子程度,不傷害到原本signal, 我是很懷疑的。 : 隨便舉例比較一下, D30 跟 E885 同樣都是300萬像素,但是 D30 所用的 : 整片CCD尺寸較E885來得大(也就是大家口語中的 D30 的焦長轉換率較小) : 所以它的信號會比 E885 的小尺寸 CCD 來得『乾淨』,畫面比較清晰 : (不考慮鏡頭因素)。但是由於 D30 所採用的CCD是較大尺寸的CCD,所以 畫面會比較乾淨, 因素絕對不只S/N比 這一個因素而已。 小尺吋感光晶片,問題多多。 大家可以再鑽研一下。 : 在製造時的良率本來就比較低,所以連帶著成本也就提高許多,因為D30比 : E885貴那麼多有一部分的原因就是出在大尺寸CCD的成本上面。 : 所以,由於這個原因,才有廠商策略聯盟要開發4/3的CCD規格,不然埋頭 : 苦幹全傳統底片尺寸的大面積CCD,一來成本降不太下來,二來與業餘市場 : 的需求不見得一致。 -- 不必要求完美,只要開始。。。 -- Origin:《 成大計中 BBS 站 》[bbs.ncku.edu.tw] 來源:[140.112.40.105]