[問題] SRAM專門製廠

[nnpo (louis)]

請問各位一個基本問題:
常聽說DRAM 製廠是三星 micron
logic製廠是台積電 GF等等
flash是三星  MICRON
但怎麼沒有聽說SRAM的專門廠呢?  他們都是誰在做fab的?

謝謝

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推 mmonkeyboyy:都是羅輯場在做的
→ FTICR:SRAM 包在邏輯晶片裡面啊
→ kuanglun:Cypress....
→ nnpo:可是如果是坐在logic晶片裡面，怎麼我聽說memory acces的速度
→ nnpo:比不上真正完全做在邏輯晶片的速度來的快 (cache的概念)
→ nnpo:access
推 mmonkeyboyy:聽不懂你上面那句的意思 @@?
→ lovepy:cache不就是用sram嗎 還是你是在說register file或DFF
推 bxxl:3樓: 做在logic晶片裡面 跟 完全做在邏輯晶片裡面, 不是一樣?
推 chester102:SRAM cell是用電晶體兜的所以一般製程廠都可以做，但是
→ chester102:DRAM cell需要用特殊製程來做電容的部分，所以不容易跟
→ chester102:一般邏輯整在一片
→ chester102:另外原po推的最快的指的是register(or DFF)，會比經過
→ chester102:SRAM經過array跟sense amp快
→ chester102:除了Cypress還有其他家出SRAM chip，例如ISSI
推 mmonkeyboyy:register也是一種sram吧
→ nnpo:既然register跟SRAM都做在logic裡面 不需要經過motherboard
→ nnpo:為什麼register跟SRAM還是有速度之分呢?
→ nnpo:又，既然SRAM也是做在LOGIC裡面，意思是像台積電 INTEL
→ nnpo:在做microprocessor時  也都把SRAM代工一起包下來了囉?
→ nnpo:http://www.eeherald.com/section/design-guide/esmod15.html
→ nnpo:這篇文章的圖 感覺SRAM跟DRAM都做在processor的外面耶..
推 bxxl:可以在外面也可以在裡面啊,現在大多做在裡面
→ bxxl:應該說以做進去整合一起為優先, 有特殊考量才放外面y
→ nnpo:那既然都坐在裡面，為什麼還是比register慢呢?
推 bxxl:兩種的電路不一樣啊
推 Baneling:除了速度 你也要考慮面積呀
推 jfsu:Flash memory裡頭就有sram (6T)，當做program data register
→ jfsu:非常佔面積。附註: NOR flash。NAND Flash就用SRlatch
→ jfsu:cache用。
推 mmonkeyboyy:不用那麼快 做那麼快浪費電嗎? 而且還有port數和cell
→ mmonkeyboyy:數目的不同 sram做在那裡你googlee 一下圖片就看得出
→ mmonkeyboyy:來了  那一塊一塊的就是SRAM
→ mmonkeyboyy:樓上大大 為什麼要這樣設計  是因為可同時prgram一堆
→ mmonkeyboyy:東西 而nor不用是吧?
→ mmonkeyboyy:你回去看一下register 1st level 2nd level 3rd level
→ mmonkeyboyy:cache就可以看得到為什麼 他沒比較快 一般cache
→ mmonkeyboyy:delay 都是 0.5ns upward起跳
→ nnpo:感謝各位回答
→ kuanglun:Register, cache和external static memory都是SRAM的6T
→ kuanglun:cell. 但register的size小, 約32-64bytes. cache是k級的
→ kuanglun:因此在BL和BLb的capactive loading上,register比較小,
→ kuanglun:所以比cache快. cache速度L1>L2>L3也是因為array size
→ kuanglun:capactive loading上, register<L1<L2<L3
→ kingzero:e-lan