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各位先進們 請問有誰拜讀過Robert J. Milliken 在 IEEE Transaction on circuit and system 在2007年"Full on-chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator",在文章的後面Table3 提到pass transistor 設計的尺寸W/L=4000 且只要流過10uA就可以得到Gmp=3.2mA/V 以及CGS=100pF CGD=26pF ‧我是使用hspice模擬單顆電晶體,發現至少需要Id=100uA 以上的電流才可以得到Gmp=mV/A等級的大小,還是我誤解他的意思,請各位先進指教一下 感謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.227.201.35 ※ 文章網址: http://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1405242681.A.7BA.html
pdaer:單顆pk rario 4k? 07/13 17:14
pdaer: ratio 07/13 17:14
jeff0203:打錯了,W/L=40000 感謝指正 07/13 17:15
jamtu:這是不可能的 物理上的極限BJT的gm/ID是40 07/13 23:04
jamtu:MOS最多是25~30 07/13 23:04
jamtu:除非你講的不是gm而是1/ron 07/13 23:05
jamtu:你check一下她那是不是simulation result 07/13 23:05
jamtu:還有他是用哪一種model 07/13 23:06
jeff0203:0.35 商業製程,沒特別寫是哪家 07/13 23:17
jeff0203:連結錯誤了 07/13 23:18
jeff0203:http://imgur.com/1N8FiSL 07/13 23:26
jeff0203:http://imgur.com/aRc2SII 07/13 23:27
jamtu:我看了一下論文 我有很大的把握他Gmp寫錯 07/14 08:54
jamtu:不知這是否會影響最後的結果? 07/14 08:54
jamtu:我比較好奇的是gmp不是會隨著Iload改變嗎 07/14 08:57
jamtu:你拿他的量測圖去trace一下或許可以找到答案 07/14 08:57
jamtu:我不是LDO專業 對參數怎麼動不了解 07/14 08:58
jamtu:但我確定10uA不可能有3.2mA/V的Gm值 07/14 08:58
jamtu:有可能他是有點瑕疵的分析但是得到正確答案 07/14 08:59
jeff0203:那CGD 和CGS 是對的嗎? 因為這兩個結果會影響頻率響應?! 07/14 09:06
jeff0203:我用Spice跑出來的結果與他的結果差異很大 07/14 09:08
jeff0203:gmp會隨著Iout變動,但是她後面@Iout=0mA 這時候看左邊 07/14 09:10
jeff0203:Table2 Mp 他的電流流Id=10uA 07/14 09:11
jamtu:製程不同結果當然不同 07/14 12:48
mos888tw:論文會不會是指單位w/l之下流過10uA? 07/14 21:21
mos888tw:例如0.5um製程1/0.5流過10uA併4000顆?! 07/14 21:22
mos888tw:沒看過論文內容 所以只是瞎猜路過 07/14 21:22