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小弟最近要開始畫layout 想請問幾個問題 (TSMC .18製程) 1. 一般在spice 要很大的W而L不變 但面積不想要變成很長的長方形 一般都是寫成 MM01 d g s b pch w=4um l=1um m=10 上面這種寫法應該就是1顆 w=40um l=1um的MOS沒錯吧!? 因為有稍微爬文說 multi-plier 與multi-finger不同 但一般寫法 m應該就是指finger沒錯吧? 2. 在畫layout時 檢查LVS multi-finger能自己check到嗎? 因為爬了一下文 有人是說把它包成subckt 然後用cell來叫出來? 還是說要看有沒有支援這樣? 想請問各位這幾個問題 謝謝~ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 218.161.71.106 ※ 文章網址: http://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1410453587.A.119.html
kameng: m是 multiplier, nf才是 no of finger 09/12 01:00
Goodgybank: 了解 multiplier應該是MOS並聯這樣 09/12 11:30
Goodgybank: 也就是w=40um m=1 相當於 w=4um m=10這樣 09/12 11:30
Goodgybank: 原本40um的MOS 換成4um 然後10個並聯去推一樣意思 09/12 11:31
Goodgybank: 想在問一下layout的畫法 finger指的是?plier指的又是? 09/12 11:32
Goodgybank: 例如這個網站的fig2 他指的是說m=5 09/12 11:32
Goodgybank: 但我查許多finger的layout 為何gate根數又指finger呢? 09/12 11:33
Goodgybank: 以前印象中gate根數就是指finger~ 09/12 11:34
jfsu: m是 multiplier。 所謂的finger,如同你打開手掌,手指 09/12 14:27
jfsu: 交互插入指節的空隙。這是"畫法"的通稱。 09/12 14:29
Goodgybank: 原來如此 感謝~~ 09/12 18:15
kameng: m跟nf其實是相似的概念,w=1,m=2,nf=1跟w=2,m=1,nf=2通過 09/12 21:37
kameng: 的電流應該是一樣的(但寄生電容會不一樣) 09/12 21:37