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各位版上的前輩們好 目前正在希望能將設計的動態比較器應用在flash adc上面 但是現在遇到preamp設計上的問題 因為目前的規格是訂在0.18製程下 希望能夠做到5bit,訊號sample rate操作在100Mhz 供應電壓在低電壓0.6V 目前的想法是希望能夠操作在rail to rail的input signal 這樣LSB大約在600/(32*4)=4.68mV 目前設計的動態比較器在此規格下的最小辨識度電壓大約為10mV 因此大概需要一級preamplifier放在動態比較器前面將訊號預先放大 增益大概在3~4倍就差不多了 目前的困難是在於 供應電壓在只有0.6V下,電晶體的Vth大約在0.5V 這樣preamp的設計不管是p或ninput pair都很難導通在saturation 而且還要操作在full swing的input時感覺困難度也會增加 不知道版上的各位有沒有對於linear amplifier或是adc有研究的 可以指點這樣的狀況 或者是這樣的spec太硬也許試著將sample rate速度降低 因為當初會訂這樣的spec是因為設計的動態比較器能夠操作在這樣的速度去訂的 另外也希望加入preamp之後也能夠將Vocm(也就是動態比較器的Vicm) shift到高電位 因為設計的動態比較器是在vdd=0.6v,common mode電壓在0.5v時作量測的 也許有些地方說明可能還不是很清楚 也希望大家提出我會再做補充 希望版上的各位大大不吝指教 先在這邊跟各位至上萬分的謝意了!! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 134.208.0.213 ※ 文章網址: http://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1420795632.A.484.html
yudofu: 加個charge pump 2X或2.5x作偏壓,再把訊號耦合進去 01/09 17:45
CaskY: 用low vt mos? 01/09 23:58
CaskY: 不過LSB 不是600/32 嗎? 還是我誤會了 01/10 00:02
s4300138: 正常來講是這樣,不過比較器的部分通常會做到1/4的LSB 01/10 00:18
Baneling: T18用1V做個100MHz的比較器應該沒有問題 但0.6V感覺不太 01/10 03:44
Baneling: 容易 不過用在比較器的pre-amp你也可以用動態的吧 這樣 01/10 03:46
Baneling: 也比較好設計 01/10 03:47