推 EVANLONG: 用高斯定律會簡單明瞭些 11/22 23:22
看了一下高斯曲面,有講到平行電板,
但高斯曲面好像是要封閉曲面,
可是平行電板,兩邊空的...,想不通。
→ wohtp: 3. 因為自由電子太多了 11/23 01:14
可是這樣子的話,導體外表面的電荷,是否會被導體外空氣中的自由電子中和呢?
推 qna: 3.自由電子運動代表電荷重新分布 直到新分布使內部電場為零 11/23 02:19
有個疑問:
導體外部的電位向外遞減(增)。
那麼導體內部為什麼不能像導體外部一樣,電位向中間遞減(增)呢?
好像是因為會被對側抵銷,所以還是要用高等積分來算了? ...orz
※ 編輯: BabyFeeling (123.240.174.192), 11/23/2014 12:36:57
推 qna: ...一樣阿 導體內電位有變化就會造成電流 11/23 19:14
→ qna: 而這電流會造成電位趨向為處處皆相同 11/23 19:16
嗯,好像想通了,如果導體內空間有電位梯度,則導體上的電位也會不相等。
推 wtfmap: Gaussian surface可自訂,取一圓椎通過此平板 11/23 20:21
推 wtfmap: E(2A) = σ(charge density)A / ε0 11/23 20:25
→ wtfmap: 抱歉 不是圓錐是cylindrical 一時想錯中文 11/23 20:36
是取怎樣的圓錐呢?尖端朝上朝下?
底面積的大小不知有無影響。
取圓錐後,如何判斷平板電場呢?
我看網路上一些用高斯面講的平板,都只有取上下兩平行的平面,
我覺得好像隱藏了一個概念似的:
點電荷的電力線數原本四面八方射出,
現在全都集中往平板的法線方向射出,
而且點電荷時的電力線數相比,電力線數不增加也不減少。
※ 編輯: BabyFeeling (123.240.174.192), 11/25/2014 22:46:09
推 wtfmap: 應該是cylindrical Gaussian surface,抱歉我上面有提到 11/26 00:08
→ wtfmap: 我一時打錯,而你說的就是electric flux的概念 11/26 00:10
→ wtfmap: 對於對稱的物體,用高斯定律來計算電場會很快 11/26 00:13
→ wtfmap: 上下兩平行的平面就是其一例 11/26 00:13
嗯嗯,瞭解,看了相關資料,
說是在取高斯面的時候,高斯面上每一點的電場都一樣,
所以積分的時候可以當作常數提出來,減少計算。
但是有個疑惑是:
為啥那個電通量由 向四面八方射出 的時候,會和 向上下兩方射出 時居然一樣?
是什麼原理呢?
這部份是不是要先學一些比較高深的數學才能理解?
因為看wiki有提到 Maxwell's equations。
※ 編輯: BabyFeeling (123.240.174.192), 11/26/2014 14:07:13
推 wtfmap: 你可以想像將charge放在一個不影響(當然只是想像)field 11/26 16:58
→ wtfmap: 的立方體中(Guassian surface),在想一下flux的定義 11/26 16:59
→ wtfmap: (perpendicular),而Maxwell's EQ內有高斯定律 11/26 17:00
→ wtfmap: 所以才會提到,其中flux的觀念應該沒有用到很高深的數學 11/26 17:01
這樣子的話,
如果把無限大平板改成面積1平方公尺的均勻電荷電板,
在距離平板1公尺處的電場,應該就無法使用這種平行高斯面了吧?!
因為我認為取一個立方體的意思,
好像是說在這立方體以內的平板才會對電場造成影響,
而在這立方體以外的平板的電荷,不會對這立方體內的電場造成影響。
但在有限大的電板,
應該就能看出少了在立方體以外的電板的電荷所構成的電場的相加,
所以我覺得在有限大的電板,靠近中間的部份電場會比較大。
因此我認為取一個立方體然後當作這立方體中的電場,看上下兩平行面,
只會受這立方體中的電板的電荷所製造的電場相加,
這樣子的理論很奇怪。
※ 編輯: BabyFeeling (123.240.174.192), 11/27/2014 00:34:26